Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เปิดตัวมอสเฟต Active Clamp ขนาดเล็กสำหรับไดรเวอร์รีเลย์

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–25 ก.ย. 2017

วันนี้ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) ประกาศเปิดตัว “SSM3K357R” ซึ่งเป็นมอสเฟตใหม่ล่าสุดที่ใช้โครงสร้าง Active Clamp ที่มาพร้อมกับไดโอดที่ติดตั้งอยู่ระหว่าง ขั้วต่อสายไฟขาเดรน (Drain) และขาเกท(Gate) จึงเป็นอุปกรณ์ที่เหมาะสำหรับผลักดันการโหลดแบบเหนี่ยวนำ (Inductive Load) เช่น รีเลย์ชนิด Mechanical โดยจะเริ่มการส่งมอบชุดใหญ่ในวันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้อยู่ในรูปแบบสื่อมัลติมีเดียอัจฉริยะ อ่านฉบับเต็มได้ทาง: http://www.businesswire.com/news/home/20170925005537/en/

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation: a new MOSFET "SSM3K357R," that adopts an active-cl ... p>Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation: “SSM3K357R” มอสเฟตใหม่ล่าสุดที่ใช้โครงสร้าง Active Clamp ที่มาพร้อมกับไดโอดที่ติดตั้งอยู่ระหว่าง ขั้วต่อสายไฟขาเดรน (Drain) และขาเกท (Gate) (ภาพ: Business Wire)

สำหรับ SSM3K357R จะปกป้องไดรเวอร์จากแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มสูงขึ้น เช่น แรงเคลื่อนไฟฟ้าต้านกลับที่เกิดจากการเหนี่ยวนำ โดยจะผนวกการทำงานของตัวต้านทานแบบ Pull-Down ตัวต้านทานแบบอนุกรม และซีเนอร์ไดโอด ซึ่งจะช่วยลดการนับจำนวนและประหยัดพื้นที่บนบอร์ด

SSM3K357 บรรจุในแพ็กเกจคลาส SOT-23 มาตรฐานโรงงานอุตสาหกรรม มีแรงดันไฟฟ้าขณะใช้งานต่ำเพียง 3.0 โวลต์ พร้อมด้วยคุณสมบัติ AEC-Q101 จึงเหมาะสำหรับใช้งานในรถยนต์และอื่น ๆ อีกมากมาย

การใช้งาน

รีเลย์และตัวควบคุมทิศทางแบบโซลินอยด์สำหรับยานยนต์

รีเลย์และตัวควบคุมทิศทางแบบโซลินอยด์สำหรับอุตสาหกรรม

ตัวควบคุมคลัทช์สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติสำหรับสำนักงาน

คุณสมบัติ

โครงสร้าง Active Clamp เหมาะสำหรับผลักดันการโหลดแบบเหนี่ยวนำ

แรงดันไฟฟ้าขณะใช้งานต่ำเพียง 3.0 โวลต์

รับรองคุณสมบัติ AEC-Q101

คุณสมบัติจำเพาะที่สำคัญ

รายการ

(Ta=25℃)

คุณสมบัติ

อัตราการใช้งานสูงสุด

Drain-source voltage

VDSS (V)

60

Gate-source voltage

VGSS (V)

±12

Drain current

ID (A)

0.65

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

Drain-source

on-resistance

RDS(ON) max

(mΩ)

|VGS|=3.0V

1200

|VGS|=5.0V

800

Total gate charge

Qg typ. (nC)

1.5

Input capacitance

Ciss typ. (pF)

43

แพ็กเกจ

SOT-23F

2.9mm×2.4mm;

t=0.8mm

อ่านข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับมอสเฟตล่าสุดของ TDSC ที่มีขนาดเล็ก มีแรงดันขณะใช้งานต่ำได้ตามลิงก์ด้านล่าง

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html

ช่องทางการติดต่อสำหรับลูกค้า:

แผนกการขายและการตลาดอุปกรณ์ส่งสัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-3-3457-3411

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ ซึ่งรวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ ข้อมูลการให้บริการ และข้อมูลสำหรับการติดต่อนั้นเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ เวลาเผยแพร่เอกสารฉบับนี้ โดยอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่จำเป็นต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) เป็นการผสมผสานระหว่างคุณสมบัติที่แข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation เมื่อเดือน ก.ค. 2017 เราได้กลายเป็นบริษัทผู้พัฒนาอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำ และได้ส่งมอบโซลูชั่นอันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจในกลุ่มเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเรา 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะสร้างคุณค่าสูงสุดให้กับผลิตภัณฑ์ เราให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกับลูกค่าเพื่อส่งเสริมการสร้างคุณค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน เราต้องการที่จะพัฒนาต่อยอดจากยอดขายประจำปีที่ทะลุ 7 แสนล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ไปแล้ว พร้อมทั้งมีส่วนในการสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง

อ่านข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ทาง https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

อ่านข่าวจากแหล่งที่มาได้ทาง businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170925005537/en/

ช่องทางการติดต่อสำหรับสื่อมวลชน:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Digital Marketing Department
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp