— อุปกรณ์รุ่นที่สองนี้ให้กระแสไฟกระชาก และค่าความดี (figure of merit) ที่ดีขึ้น โดยตอนนี้อยู่ในแพคเกจชนิดติดตั้งบนพื้นผิว —
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–17 ตุลาคม 2017
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) สร้างศักยภาพให้กับผลิตภัณฑ์ไดโอดด้วยการเพิ่มผลิตภัณฑ์ไดโอดรอยต่อช็อตกี หรือ Schottky Barrier Diodes (SBDs) ที่ทำจากซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และบรรจุอยู่ในแพ็คเกจที่ติดตั้งบนพื้นผิว (surface mount package) การจัดส่งเพื่อการขายเริ่มต้นตั้งแต่วันนี้
ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณลักษณะเป็นมัลติมีเดีย สามารถอ่านฉบับเต็มได้ที่: http://www.businesswire.com/news/home/20171016006343/en/
ผลิตภัณฑ์ไดโอดรอยต่อช็อตกี รุ่นที่สอง 650 V ที่อยู่ในแพ็คเกจติตั้งบนพื้นผิว DPAK ของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (รูปภาพ: Business Wire)
แต่ก่อนนั้น TDSC มุ่งเน้นไปที่การผลิต SiC SBDs หรือ ผลิตภัณฑ์ไดโอดรอยต่อช็อตกีที่ทำจากซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ในแพ็คเกจแบบเจาะหลุม การเพิ่มผลิตภัณฑ์ตัวนี้โดยใช้บรรจุภัณฑ์ที่ติดตังบนพื้นผิว (หรือที่เรียกอย่างไม่เป็นทางการว่า DPAK จึงตอบสนองความต้องการของลูกค้าที่อยากให้ลดขนาดและความหนาของผลิตภัณฑ์
SiC SBDs ตัวใหม่ประกอบด้วยชิปยุคที่สองของโตชิบาซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพในการส่งกระแสฟอร์เวิร์ด (IFSM) และค่าความดีหรือ figure of merit (VF * Qc c *1). อุปกรณ์ใหม่เหล่านี้ถูกทำให้มีความทนทานสูงขึ้น และการสูญเสียต่ำลง ซึ่งจะช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบและลดความซับซ้อนในการออกแบบด้านความร้อน
TDSC จะขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์อย่างต่อเนื่องเพื่อช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพและลดขนาดของอุปกรณ์การสื่อสาร เซิร์ฟเวอร์ อินเวอร์เตอร์ และผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
คุณสมบัติ
· กระแสไฟกระชากสูงสุดฟอร์เวิร์ด: ประมาณ 7 ถึง 9.5 เท่าของกระแสในปัจจุบัน IF(DC)
· ค่าความดีที่ต่ำ (VF•Qc): ต่ำกว่าผลิตภัณฑ์รุ่นแรกประมาณ ประมาณ 1/3 ซึ่งแสดงถึงประสิทธิภาพสูง
· แพคเกจติดตั้งพื้นผิว: ทำให้สามารถติดตั้งอัตโนมัติได้ และช่วยลดขนาดและความหนา
การใช้งาน
SiC SBDs ใหม่ เหมาะสำหรับการใช้งานเชิงพาณิชย์และอุตสาหกรรมรวมทั้งกับวงจร PFC ในอุปกรณ์จ่ายไฟที่มีประสิทธิภาพสูง
· ผลิตภัณฑ์สำหรับผู้บริโภคและผลิตภัณฑ์โอเอ: แหล่งจ่ายไฟสำหรับจอ LCD ขนาดใหญ่และทีวี OLED ขนาดใหญ่โปรเจคเตอร์ เครื่องถ่ายเอกสารมัลติฟังก์ชั่น เป็นต้น
· อุปกรณ์อุตสาหกรรม: แหล่งจ่ายไฟสำหรับสถานีฐานโทรคมนาคม, เซิร์ฟเวอร์พีซี, เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ ฯลฯ
· สำหรับวงจร: วงจรการปรับค่าสัมประสิทธิ์กำลังไฟ (PFC); วงจรอินเวอร์เตอร์ขนาดเล็ก; (อุปกรณ์ไฟฟ้าหลายร้อยวัตต์ขึ้นไป)
· ไดโอดล้อเลื่อนสำหรับเปลี่ยนอุปกรณ์
ข้อมูลจำเพาะหลัก |
||||||||||||||||||
แพ็คเกจ |
อัตราสูงสุดแบบสัมบูรณ์ |
คุณลักษณะทางไฟฟ้า |
||||||||||||||||
ฟอร์เวิร์ด กระแส DC |
ไม่ซ้ำ ฟอร์เวิร์ดสูงสุด กระแสกระชาก |
กำลังสูงสุด ความหมดเปลืองพลังงาน |
จังค์ชัน อุณภูมิ |
ฟอร์เวิร์ด โวลต์ |
ค่าความดี |
จังค์ชัน ความสามารถ |
ความสามารถสูงสุด ชาร์จ |
|||||||||||
สัญลักษณ์ |
IF(DC) |
IFSM |
Ptot |
Tj |
VF |
VF•Qc |
Cj |
QC |
||||||||||
หน่วย |
(A) |
(A) |
(W) |
(℃) |
(V) |
(V•nC) |
(pF) |
(nC) |
||||||||||
ระดับ |
Max. |
Max. |
Max. |
Max. |
- |
Typ. |
Typ. |
Typ. |
||||||||||
สินค้า / เงื่อนไข |
- |
@ Half-sine Wave t=10ms |
Tc=25℃ |
- |
@ IF(DC) |
- |
@ VR= 1V |
@VR= 400V |
||||||||||
ประเภทของการติดตั้งแบบพื้นผิว DPAK / มีค่าเทียบเท่ากับ TO-252 |
TRS2P65F |
2 |
19 |
34.0 |
175 |
1.45 (Typ.) 1.60 (Max.) |
8.4 |
85 |
5.8 |
|||||||||
TRS3P65F |
3 |
26 |
37.5 |
11.7 |
120 |
8.1 |
||||||||||||
TRS4P65F |
4 |
33 |
41.0 |
15.1 |
165 |
10.4 |
||||||||||||
TRS6P65F |
6 |
45 |
48.3 |
21.9 |
230 |
15.1 |
||||||||||||
TRS8P65F |
8 |
58 |
55.5 |
28.6 |
300 |
19.7 |
||||||||||||
TRS10P65F |
10 |
70 |
62.5 |
35.4 |
400 |
24.4 |
||||||||||||
หมายเหตุ:
[1] Qc : ค่าไฟฟ้าคิดเป็นความจุ Cj ระหว่าง 0.1 V กับ400 V.
ตามลิงค์ข้างล่างนี้เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสายยผลิตภัณฑ์ไดโอดรอยต่อช็อตกี
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/diode/sic.html
สอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า (Power Device Sales & Marketing Department)
โทร: +81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
โตชิบาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และการจัดเก็บ Toshiba Eletronics Devices & Storage Corporation (TDSC) รวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2017 เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และคู่ค้าทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD
พนักงานของเราจำนวน 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีในขณะนี้สูงกว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่
ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
ดูเวอร์ชันต้นฉบับได้ที่ businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20171016006343/en/
ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
ฝ่ายการตลาดดิจิตอล Digital Marketing Department
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
You must be logged in to post a comment.