Toshiba Memory Corporation เปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลช NAND ใหม่สำหรับอุปกรณ์แบบฝังตัว รองรับการถ่ายโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูง

เจเนอเรชันที่สองของผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสมาพร้อมประสิทธิภาพและความจุที่มากขึ้น

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–26 กันยายน 2562

Toshiba Memory Corporation ผู้นำด้านโซลูชันหน่วยความจำระดับโลก ประกาศในวันนี้ว่าบริษัทได้เปิดตัวผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลช NAND เจเนอเรชันที่สอง สำหรับสำหรับอุปกรณ์แบบฝังตัว มาพร้อมประสิทธิภาพและความจุที่มากขึ้น^[1] เพื่อรองรับการถ่ายโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูง ผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสใหม่สามารถใช้ได้กับพอร์ตสื่อสาร SPI ที่มีการใช้งานอย่างกว้างขวาง และเหมาะกับการใช้งานกับอุปกรณ์ทั่วไปสำหรับผู้บริโภค อุปกรณ์อุตสาหกรรม และอุปกรณ์สื่อสารมากมายหลายประเภท บริษัทจะเริ่มจัดส่งผลิตภัณฑ์ตัวอย่างวันนี้ ขณะที่การผลิตเพื่อจำหน่ายมีกำหนดเริ่มต้นตั้งแต่เดือนตุลาคมเป็นต้นไป

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหามัลติมีเดีย ดูแบบเต็มรูปแบบได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190925006002/en/

ขณะที่อุปกรณ์สื่อสารและอุปกรณ์ IoT มีขนาดเล็กลง ความต้องการหน่วยความจำแฟลชที่มีขนาดความจุสูง ในแพ็คเกจขนาดเล็ก และสามารถโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูงแต่มีจำนวนขาน้อยกลับสูงขึ้น และด้วยการที่ผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสสามารถใช้ได้กับพอร์ต SPI ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลาย จึงสามารถทำหน้าที่เป็นผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชแบบ SLC NAND ที่มีจำนวนขาน้อย มีขนาดเล็ก และมีความจุสูงได้ในตัว

เพื่อรองรับการโอนข้อมูลด้วยความเร็วสูง ผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสเจเนอเรชันที่สองจึงมาพร้อมกับประสิทธิภาพที่สูงขึ้นเมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ในเจเนอเรชันที่หนึ่ง^[1] รวมถึงย่านความถี่ใช้งานที่ 133 เมกะเฮิรตซ์ (MHz) และโหมดการทำงานแบบ program x4 นอกจากนี้ยังมีการเพิ่มอุปกรณ์ขนาด 8 gigabit (1 gigabyte) ^[2] เข้ามาในไลน์อัพของผลิตภันฑ์ด้วย เพื่อตอบสนองความต้องการของขนาดความจุหน่วยความจำที่ใหญ่ขึ้น

สรุปเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

หมายเลขชิ้นส่วน	ความจุ	I/O	แรงดันไฟฟ้า	แพ็คเกจ	เริ่มผลิตเพื่อจำหน่าย
TC58CVG0S3HRAIJ	1Gb	x1, x2, x4	3.3V	8ขา WSON[3] (6มม. x 8มม.)	ตุลาคม 2562
TC58CYG0S3HRAIJ			1.8V		ตุลาคม 2562
TC58CVG1S3HRAIJ	2Gb		3.3V		ตุลาคม 2562
TC58CYG1S3HRAIJ			1.8V		ตุลาคม 2562
TC58CVG2S0HRAIJ	4Gb		3.3V		ตุลาคม 2562
TC58CYG2S0HRAIJ			1.8V		ตุลาคม 2562
TH58CVG3S0HRAIJ	8Gb		3.3V		ธันวาคม 2562
TH58CYG3S0HRAIJ			1.8V		ธันวาคม 2562

คุณสมบัติที่สำคัญ

ความจุ	1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb
ขนาดเพจ	2KByte (1Gb, 2Gb), 4KByte (4Gb, 8Gb)
อินเทอร์เฟส	Serial Peripheral Interface Mode 0, Mode 3
แรงดันแหล่งจ่ายไฟ	2.7 ถึง 3.6V, 1.7 ถึง 1.95V
ช่วงอุณหภูมิขณะใช้งาน	-40 oC ถึง 85 oC
คุณสมบัติ	• ย่านความถี่ใช้งาน 133MHz • โหมด Program / Read x4 • ฟังก์ชันอ่านข้อมูลตามลำดับด้วยความเร็วสูง • ฟังก์ชัน ECC (ON/OFF, bit flip count report) • ฟังก์ชันป้องกันข้อมูล (สามารถเลือกป้องกันข้อมูลเฉพาะบางบล็อกได้) • ฟังก์ชัน Parameter Page (สามารถแสดงข้อมูลแบบรายละเอียดบนอุปกรณ์ได้)

หมายเหตุ
[1] เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ NAND แบบซีเรียลอินเทอร์เฟสเจเนอเรชันหนึ่งของ Toshiba Memory Corporation ทำการสำรวจโดย Toshiba Memory
[2] ความจุของผลิตภัณฑ์ระบุตามขนาดหน่วยความจำของชิปภายในผลิตภัณฑ์​ ไม่​ได้​บ่งบอก​ถึงจำนวน​หน่วย​ความ​จำ​ที่​ว่าง​สำห​รับ​จัดเก็บ​ข้อมูล​ของ​ผู้​ใช้​ปลายทาง​ ขนาด​ความจุ​ที่​ผู้​บริโภค​สามารถ​ใช้ได้จะลดลงตาม​พื้นที่​ข้อมูล​ที่​ที่​ใช้​ การ​ฟอร์แมต​ บล็อก​ที่​ไม่​ดี​ และข้อ​จำกัด​อื่น​ ๆ​ และ​อาจ​แตกต่าง​กัน​ออก​ไป​ขึ้น​อยู่​กับอุปกรณ์​ที่​เป็น​โฮสต์​และ​การ​ใช้​งาน​ สำห​รับ​รายละเอียด​เพิ่มเติม​ โปรด​ดู​จาก​ข้อมูล​จำเพาะ​ของ​ผลิตภัณฑ์​
[3] WSON: คือแพ็คเก็จขนาดที่เล็กมาก และไม่มีตะกั่วเป็นส่วนประกอบ

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทเหล่านั้น

ข้อมูลติดต่อสำหรับลูกค้า:
Toshiba Memory Corporation
ฝ่ายขายและการตลาดหน่วยความจำ
โทร: +81-3-6478-2412
https://business.toshiba-memory.com/en-jp/contact.html

ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูล ณ ปัจจุบันในวันที่ประกาศ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่นี่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20190925006002/en/

ข้อมูลติดต่อสำหรับสื่อ:
Toshiba Memory Corporation
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย
Koji Takahata
โทร: +81-3-6478-2404