- แพคเกจใหม่นี้ออกแบบมาให้ช่วยลดอุณหภูมิในส่วนของตัวต้านทานความร้อนลงถึง 50% เมื่อเปรียบเทียบกับแพคเกจรุ่น USC ธรรมดา
โตกียว–(BUSINESS WIRE)–10 กรกฎาคม 2018
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์ไดโอดชอทท์กี้ตัวใหม่รุ่น “CUHS10F60” โดยอุปกรณ์ชิ้นนี้เหมาะสำหรับการแปลงไฟฟ้ากระแสสลับเป็นกระแสตรงและการป้องกันกระแสไฟไหลย้อนกลับสำหรับวงจรของแหล่งจ่ายไฟ เริ่มขยายการผลิตและพร้อมจัดส่งแล้ววันนี้
เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยไฟล์มัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20180710005424/en/
Toshiba: ผลิตภัณฑ์ไดโอดชอทท์กี้รุ่นใหม่ "CUHS10F60" ซึ่งประกอบอยู่ในแพคเกจ US2H ล่าสุด (รูปภาพ: Business Wire)
ผลิตภัณฑ์ CUHS10F60 รุ่นใหม่นี้ต้านทานอุณภูมิต่ำสุดได้ถึง 105 °C/W[1] ซึ่งอยู่ในแพคเกจ US2H ที่ได้รับการพัฒนามาใหม่ มาพร้อมรหัสแพคเกจ “SOD-323HE” ตัวต้านทานความร้อนในแพคเกจนี้ได้รับการพัฒนาให้ช่วยลดอุณหภูมิลงถึง 50% เมื่อเปรียบเทียบกับ USC รุ่นธรรมดา และเพื่อให้ง่ายต่อการกำหนดอุณหภูมิ
ด้วยการพัฒนาไปอีกขั้นในด้านสมรรถนะเมื่อเปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ในตระกูลเดียวกัน ไดโอดชอทท์กี้รุ่น CUS04[2] จะมีปริมาณกระแสไฟฟ้าที่จะไหลย้อนกลับสูงสุดลดลงประมาณ 60% ต่อ 40µA[3] โดยมีส่วนทำให้เกิดการใช้พลังงานต่ำในอุปกรณ์ที่ต้องใช้พลังงานจากส่วนนี้ ยิ่งไปกว่านี้กระแสไฟฟ้าที่ไหลย้อนกลับยังเพิ่มขึ้นจาก 40V เป็น 60V โดยผลิตภัณฑ์ล่าสุดนี้ยังสามารถใช้ได้กับอุปกรณ์หลากหลายประเภทมากกว่ารุ่นเดิมอย่าง CUS10F40[4]
การใช้งาน
- วงจรแหล่งจ่ายไฟ (การแปลงไฟฟ้ากระแสสลับเป็นกระแสตรงและการป้องกันกระแสไฟไหลย้อนกลับ และอื่น ๆ)
คุณสมบัติ
- แรงดันไบแอสตรงระดับต่ำ: VF=0.56 V (typ.) @IF=1.0 A
- กระแสไฟฟ้าไหลย้อนกลับต่ำ: IR=40 μA(max)@VR=60 V
- แพคเกจ surface mount ขนาดเล็ก: ขึ้นรูปด้วยความหนาแน่นสูงที่มาพร้อมกับแพคเกจ US2H(SOD-323HE)
ข้อมูลจำเพาะ |
||||||||||||||
(@Ta=25°C) |
||||||||||||||
หมายเลขรุ่น |
กระแสไฟสูงสุด |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า |
ชื่อแพคเกจ |
|||||||||||
แรงดันไบแอสกลับ VR (V) |
กระแสไฟในวงจรเรียงโดยเฉลี่ย IO (A) |
แรงดันไบแอสตรง VF ทั่วไป (V) |
กระแสไฟที่ไหลย้อนกลับ IR สูงสุด @VR=60 (μA) |
|||||||||||
@IF=0.5 |
@IF=1 |
ขนาดโดยทั่วไป (มม.) |
||||||||||||
CUHS10F60 |
60 |
1.0 |
0.46 |
0.56 |
40 |
US2H (SOD-323HE) |
2.5×1.4 |
|||||||
หมายเหตุ:
[1] ขึ้นรูปบนบอร์ด FR4 (25.4 มม. x 25.4 มม. X 1.6 มม. Cu Pad: 645mm2)
[2] กระแสไฟสูงสุด: VRRM=60V, IF(AV)=0.7A
[3] สภาพทั่วไปในการทดสอบ: กระแสไฟย้อนกลับ VR=60V
[4] กระแสไฟสูงสุด: VR=40V,IO=1.0A
ลูกค้าสอบถามข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่:
แผนกขายและการตลาดอุปกรณ์ส่งสัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาด้านการบริการและข้อมูลในการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ ซึ่งอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2017 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา
เรามีพนักงานจำนวน 19,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน
ดูเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
ดูเวอร์ชันต้นฉบับได้ที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20180710005424/en/
ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
You must be logged in to post a comment.