โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–25 ก.ย. 2017
วันนี้ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) ประกาศเปิดตัว “SSM3K357R” ซึ่งเป็นมอสเฟตใหม่ล่าสุดที่ใช้โครงสร้าง Active Clamp ที่มาพร้อมกับไดโอดที่ติดตั้งอยู่ระหว่าง ขั้วต่อสายไฟขาเดรน (Drain) และขาเกท(Gate) จึงเป็นอุปกรณ์ที่เหมาะสำหรับผลักดันการโหลดแบบเหนี่ยวนำ (Inductive Load) เช่น รีเลย์ชนิด Mechanical โดยจะเริ่มการส่งมอบชุดใหญ่ในวันนี้
ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้อยู่ในรูปแบบสื่อมัลติมีเดียอัจฉริยะ อ่านฉบับเต็มได้ทาง: http://www.businesswire.com/news/home/20170925005537/en/
สำหรับ SSM3K357R จะปกป้องไดรเวอร์จากแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มสูงขึ้น เช่น แรงเคลื่อนไฟฟ้าต้านกลับที่เกิดจากการเหนี่ยวนำ โดยจะผนวกการทำงานของตัวต้านทานแบบ Pull-Down ตัวต้านทานแบบอนุกรม และซีเนอร์ไดโอด ซึ่งจะช่วยลดการนับจำนวนและประหยัดพื้นที่บนบอร์ด
SSM3K357 บรรจุในแพ็กเกจคลาส SOT-23 มาตรฐานโรงงานอุตสาหกรรม มีแรงดันไฟฟ้าขณะใช้งานต่ำเพียง 3.0 โวลต์ พร้อมด้วยคุณสมบัติ AEC-Q101 จึงเหมาะสำหรับใช้งานในรถยนต์และอื่น ๆ อีกมากมาย
การใช้งาน
รีเลย์และตัวควบคุมทิศทางแบบโซลินอยด์สำหรับยานยนต์
รีเลย์และตัวควบคุมทิศทางแบบโซลินอยด์สำหรับอุตสาหกรรม
ตัวควบคุมคลัทช์สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติสำหรับสำนักงาน
คุณสมบัติ
โครงสร้าง Active Clamp เหมาะสำหรับผลักดันการโหลดแบบเหนี่ยวนำ
แรงดันไฟฟ้าขณะใช้งานต่ำเพียง 3.0 โวลต์
รับรองคุณสมบัติ AEC-Q101
คุณสมบัติจำเพาะที่สำคัญ |
||||||
รายการ (Ta=25℃) |
คุณสมบัติ |
|||||
อัตราการใช้งานสูงสุด |
Drain-source voltage VDSS (V) |
60 |
||||
Gate-source voltage VGSS (V) |
±12 |
|||||
Drain current ID (A) |
0.65 |
|||||
คุณสมบัติทางไฟฟ้า |
Drain-source on-resistance RDS(ON) max (mΩ) |
|VGS|=3.0V |
1200 |
|||
|VGS|=5.0V |
800 |
|||||
Total gate charge Qg typ. (nC) |
1.5 |
|||||
Input capacitance Ciss typ. (pF) |
43 |
|||||
แพ็กเกจ |
SOT-23F |
2.9mm×2.4mm; t=0.8mm |
||||
อ่านข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับมอสเฟตล่าสุดของ TDSC ที่มีขนาดเล็ก มีแรงดันขณะใช้งานต่ำได้ตามลิงก์ด้านล่าง
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html
ช่องทางการติดต่อสำหรับลูกค้า:
แผนกการขายและการตลาดอุปกรณ์ส่งสัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ ซึ่งรวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ ข้อมูลการให้บริการ และข้อมูลสำหรับการติดต่อนั้นเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ เวลาเผยแพร่เอกสารฉบับนี้ โดยอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่จำเป็นต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) เป็นการผสมผสานระหว่างคุณสมบัติที่แข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation เมื่อเดือน ก.ค. 2017 เราได้กลายเป็นบริษัทผู้พัฒนาอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำ และได้ส่งมอบโซลูชั่นอันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจในกลุ่มเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD
พนักงานของเรา 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะสร้างคุณค่าสูงสุดให้กับผลิตภัณฑ์ เราให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกับลูกค่าเพื่อส่งเสริมการสร้างคุณค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน เราต้องการที่จะพัฒนาต่อยอดจากยอดขายประจำปีที่ทะลุ 7 แสนล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ไปแล้ว พร้อมทั้งมีส่วนในการสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
อ่านข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ทาง https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
อ่านข่าวจากแหล่งที่มาได้ทาง businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170925005537/en/
ช่องทางการติดต่อสำหรับสื่อมวลชน:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Digital Marketing Department
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
You must be logged in to post a comment.