โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–26 ก.ย. 2017
วันนี้ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) ประกาศเปิดตัว “TCR3UG” ซีรีส์วงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบแรงดันตกคร่อมต่ำ (เรกูเลเตอร์แบบ LDO) ที่บรรจุในแพ็กเกจขนาดเล็ก โดยให้กระแสไฟฟ้าขาออก 300 มิลลิแอมป์ เหมาะสำหรับใช้ควบคุมไฟฟ้าในโมดูล IoT โทรศัพท์สมาร์ทโฟน และอุปกรณ์สำหรับสวมใส่ ผลิตภัณฑ์ชุดแรกของซีรีส์นี้จะเริ่มทำการขนส่งวันนี้ ก่อนที่ชุดอื่น ๆ จะดำเนินการต่อไป
ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้อยู่ในรูปแบบสื่อมัลติมีเดียอัจฉริยะ อ่านฉบับเต็มได้ทาง: http://www.businesswire.com/news/home/20170926005783/en/
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation: “TCR3UG” ซีรีส์วงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบแรงดันตกคร่อมต่ำ (เรกูเลเตอร์แบบ LDO) บรรจุในแพ็กเกจขนาดเล็ก ให้กระแสไฟฟ้าขาออก 300 มิลลิแอมป์ (ภาพ: Business Wire)
ในวงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ LDO นั้น กระแสที่จุดไบอัส (จุดนิ่ง) เป็นการผลมาจากการแลกเปลี่ยนที่สมดุลของอัตราขจัดสัญญาณกระเพื่อม (Ripple Rejection) กับการตอบสนองชั่วคราวของการโหลด (Load Transient Response) ซึ่งเรกูเลเตอร์ชุด TCR3UG ให้ประสิทธิภาพการรักษาความสมดุลระหว่างคุณสมบัติดังกล่าวได้ดีที่สุดในอุตสาหกรรม[1] นอกจากนี้ยังมีคุณสมบัติปกป้องหลายประการด้วยกัน เช่น ปิดการทำงานเมื่อเกิดความร้อน ป้องกันกระแสไฟฟ้าไหลเกิน และป้องกันกระแสไฟฟ้าพุ่งเข้า TCR3UG บรรจุใน WCSP4F[1] ซึ่งเป็นแพ็กเกจขนาดเล็กชั้นนำของอุตสาหกรรม โดยมีขนาดเพียง 0.645มม. x 0.645มม. (typ.), t=0.33มม. (max) จึงทำให้อุปกรณ์มือถือที่นำไปใช้งานด้วยนั้นมีขนาดเล็กและบางลง
วงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ LDO ชุดล่าสุดเหมาะสำหรับใช้ในการจ่ายไฟระบบเซ็นเซอร์ที่ต้องอาศัยแบตเตอรี่ที่ทำงานได้นาน ตลอดจนอุปกรณ์ที่ไวต่อความผันผวนของแรงดันไฟฟ้าและสัญญาณรบกวน ในชุดประกอบไปด้วย เรกูเลเตอร์แบบ LDO 62 ชิ้น ครอบคลุมจุดแรงดันไฟฟ้าขาออก 31 จุด ตั้งแต่ 0.8-5.0 โวลต์ มีทั้งการคายประจุไฟฟ้าขาออก (Output Discharge) แบบอัตโนมัติและไม่อัตโนมัติ จึงสามารถเลือกใช้ให้เหมาะกับความต้องการของลูกค้าได้มากที่สุด
การใช้งาน
• โมดูล IoT โทรศัพท์สมาร์ทโฟน และอุปกรณ์สำหรับสวมใส่
คุณสมบัติ
กระแสที่จุดไบอัสต่ำ: IB(ON1) = 0.34 μA (typ.)
อัตราขจัดสัญญาณกระเพื่อมสูง : R.R. = 70 dB (typ.)
ความเร็วในการตอบสนองชั่วคราวของการโหลดสูง: ⊿VOUT = 60 mV (typ.)
แพ็กเกจ WCSP4F ขนาดเล็ก: 0.645 × 0.645 มม. (typ.), t=0.33 มม. (สูงสุด)
คุณสมบัติจำเพาะที่สำคัญ |
||||||
รายการ (Ta=25oC) |
คายประจุไฟฟ้าอัตโนมัติ |
|||||
มี |
ไม่มี |
|||||
อัตราการใช้งานสูงสุด |
||||||
Output current IOUT(mA) |
300 |
|||||
คุณสมบัติทางไฟฟ้า |
||||||
Input voltage VIN(V) @ IOUT = 1 mA |
1.5 – 5.5 |
|||||
Quiescent current IB(ON1) typ. (μA) @ VOUT ≦ 1.5 V, IOUT=0 mA *2 |
0.34 |
|||||
Ripple rejection ratio R.R. typ. (dB) @VOUT=0.8 V, IOUT=10 mA, f=1 kHz *2 |
70 |
|||||
Drop-out voltage VIN-VOUT typ. (mV) @ VOUT=3.3 V, IOUT=300 mA |
140 |
|||||
Load transient response ⊿VOUT typ. (mV) @VOUT=0.8 V, VIN=3.3 V, IOUT=1mA⇔50 mA *2 |
±60 |
แรงดันไฟฟ้าขาออก typ. (V) |
คายประจุไฟฟ้าอัตโนมัติ |
แรงดันไฟฟ้าขาออก typ. (V) |
คายประจุไฟฟ้าอัตโนมัติ |
|||||||
มี |
ไม่มี |
มี |
ไม่มี |
|||||||
0.8 |
TCR3UG08A |
TCR3UG08B |
2.5 |
TCR3UG25A |
TCR3UG25B |
|||||
0.85 |
TCR3UG085A |
TCR3UG085B |
2.6 |
TCR3UG26A |
TCR3UG26B |
|||||
0.9 |
TCR3UG09A |
TCR3UG09B |
2.7 |
TCR3UG27A |
TCR3UG27B |
|||||
0.95 |
TCR3UG095A |
TCR3UG095B |
2.8 |
TCR3UG28A |
TCR3UG28B |
|||||
1.0 |
TCR3UG10A |
TCR3UG10B |
2.85 |
TCR3UG285A |
TCR3UG285B |
|||||
1.05 |
TCR3UG105A |
TCR3UG105B |
3.0 |
TCR3UG30A |
TCR3UG30B |
|||||
1.1 |
TCR3UG11A |
TCR3UG11B |
3.1 |
TCR3UG31A |
TCR3UG31B |
|||||
1.15 |
TCR3UG115A |
TCR3UG115B |
3.2 |
TCR3UG32A |
TCR3UG32B |
|||||
1.2 |
TCR3UG12A |
TCR3UG12B |
3.3 |
TCR3UG33A |
TCR3UG33B |
|||||
1.3 |
TCR3UG13A |
TCR3UG13B |
3.5 |
TCR3UG35A |
TCR3UG35B |
|||||
1.35 |
TCR3UG135A |
TCR3UG135B |
3.6 |
TCR3UG36A |
TCR3UG36B |
|||||
1.5 |
TCR3UG15A |
TCR3UG15B |
4.1 |
TCR3UG41A |
TCR3UG41B |
|||||
1.75 |
TCR3UG175A |
TCR3UG175B |
4.2 |
TCR3UG42A |
TCR3UG42B |
|||||
1.8 |
TCR3UG18A |
TCR3UG18B |
4.5 |
TCR3UG45A |
TCR3UG45B |
|||||
1.85 |
TCR3UG185A |
TCR3UG185B |
5.0 |
TCR3UG50A |
TCR3UG50B |
|||||
1.9 |
TCR3UG19A |
TCR3UG19B |
||||||||
หมายเหตุ:
[1] จากการสำรวจของ TDSC ณ วันที่ 26 ก.ย. 2017 สำหรับวงจรรวมของเรกูเลเตอร์แบบ LDO ที่ให้กระแสไฟฟ้าขาออก 300 มิลลิแอมป์
[2] สภาวะการทดสอบปกติ: VIN = VOUT + 1 V (VOUT > 1.5 V), VIN = 2.5 V (VOUT ≤ 1.5 V), CIN=1.0 μF, COUT=1.0 μF (เว้นเสียแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
อ่านข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเรกูเลเตอร์แบบ LDO ของ TDSC ได้ตามลิงก์ด้านล่าง
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/linear/power-supply/ldo-regulator.html
ช่องทางการติดต่อสำหรับลูกค้า:
แผนกการขายและการตลาดอุปกรณ์ส่งสัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ ซึ่งรวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ ข้อมูลการให้บริการ และข้อมูลสำหรับการติดต่อนั้นเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ เวลาเผยแพร่เอกสารฉบับนี้ โดยอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่จำเป็นต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) เป็นการผสมผสานระหว่างคุณสมบัติที่แข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation เมื่อเดือน ก.ค. 2017 เราได้กลายเป็นบริษัทผู้พัฒนาอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำ และได้ส่งมอบโซลูชั่นอันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจในกลุ่มเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD
พนักงานของเรา 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะสร้างคุณค่าสูงสุดให้กับผลิตภัณฑ์ เราให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกับลูกค่าเพื่อส่งเสริมการสร้างคุณค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน เราต้องการที่จะพัฒนาต่อยอดจากยอดขายประจำปีที่ทะลุ 7 แสนล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ไปแล้ว พร้อมทั้งมีส่วนในการสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง
อ่านข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ทาง: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
อ่านข่าวจากแหล่งที่มาได้ทาง businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170926005783/en/
ช่องทางการติดต่อสำหรับสื่อมวลชน:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Digital Marketing Department
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
You must be logged in to post a comment.