Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เปิดตัวเรกูเลเตอร์แบบ LDO 300mA วงจรรวมของเรกูเลเตอร์แบบ LDO ขนาดเล็กประกอบไปด้วยกระแสที่จุดไบอัสต่ำ อัตราขจัดสัญญาณกระเพื่อมสูง ความเร็วในการตอบสนองชั่วคราวของการโหลดสูง

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–26 ก.ย. 2017

วันนี้ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) ประกาศเปิดตัว “TCR3UG” ซีรีส์วงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบแรงดันตกคร่อมต่ำ (เรกูเลเตอร์แบบ LDO) ที่บรรจุในแพ็กเกจขนาดเล็ก โดยให้กระแสไฟฟ้าขาออก 300 มิลลิแอมป์ เหมาะสำหรับใช้ควบคุมไฟฟ้าในโมดูล IoT โทรศัพท์สมาร์ทโฟน และอุปกรณ์สำหรับสวมใส่ ผลิตภัณฑ์ชุดแรกของซีรีส์นี้จะเริ่มทำการขนส่งวันนี้ ก่อนที่ชุดอื่น ๆ จะดำเนินการต่อไป

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้อยู่ในรูปแบบสื่อมัลติมีเดียอัจฉริยะ อ่านฉบับเต็มได้ทาง: http://www.businesswire.com/news/home/20170926005783/en/

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation: small package, low-dropout (LDO) regulators "TCR3U ...

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation: “TCR3UG” ซีรีส์วงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบแรงดันตกคร่อมต่ำ (เรกูเลเตอร์แบบ LDO) บรรจุในแพ็กเกจขนาดเล็ก ให้กระแสไฟฟ้าขาออก 300 มิลลิแอมป์ (ภาพ: Business Wire) 

ในวงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ LDO นั้น กระแสที่จุดไบอัส (จุดนิ่ง) เป็นการผลมาจากการแลกเปลี่ยนที่สมดุลของอัตราขจัดสัญญาณกระเพื่อม (Ripple Rejection) กับการตอบสนองชั่วคราวของการโหลด (Load Transient Response) ซึ่งเรกูเลเตอร์ชุด TCR3UG ให้ประสิทธิภาพการรักษาความสมดุลระหว่างคุณสมบัติดังกล่าวได้ดีที่สุดในอุตสาหกรรม[1] นอกจากนี้ยังมีคุณสมบัติปกป้องหลายประการด้วยกัน เช่น ปิดการทำงานเมื่อเกิดความร้อน ป้องกันกระแสไฟฟ้าไหลเกิน และป้องกันกระแสไฟฟ้าพุ่งเข้า TCR3UG บรรจุใน WCSP4F[1] ซึ่งเป็นแพ็กเกจขนาดเล็กชั้นนำของอุตสาหกรรม โดยมีขนาดเพียง 0.645มม. x 0.645มม. (typ.), t=0.33มม. (max) จึงทำให้อุปกรณ์มือถือที่นำไปใช้งานด้วยนั้นมีขนาดเล็กและบางลง

วงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบ LDO ชุดล่าสุดเหมาะสำหรับใช้ในการจ่ายไฟระบบเซ็นเซอร์ที่ต้องอาศัยแบตเตอรี่ที่ทำงานได้นาน ตลอดจนอุปกรณ์ที่ไวต่อความผันผวนของแรงดันไฟฟ้าและสัญญาณรบกวน ในชุดประกอบไปด้วย เรกูเลเตอร์แบบ LDO 62 ชิ้น ครอบคลุมจุดแรงดันไฟฟ้าขาออก 31 จุด ตั้งแต่ 0.8-5.0 โวลต์ มีทั้งการคายประจุไฟฟ้าขาออก (Output Discharge) แบบอัตโนมัติและไม่อัตโนมัติ จึงสามารถเลือกใช้ให้เหมาะกับความต้องการของลูกค้าได้มากที่สุด

การใช้งาน

• โมดูล IoT โทรศัพท์สมาร์ทโฟน และอุปกรณ์สำหรับสวมใส่

คุณสมบัติ

กระแสที่จุดไบอัสต่ำ: IB(ON1) = 0.34 μA (typ.)
อัตราขจัดสัญญาณกระเพื่อมสูง : R.R. = 70 dB (typ.)
ความเร็วในการตอบสนองชั่วคราวของการโหลดสูง: ⊿VOUT = 60 mV (typ.)
แพ็กเกจ WCSP4F ขนาดเล็ก: 0.645 × 0.645 มม. (typ.), t=0.33 มม. (สูงสุด)

คุณสมบัติจำเพาะที่สำคัญ

รายการ

(Ta=25oC)

คายประจุไฟฟ้าอัตโนมัติ

มี

ไม่มี

อัตราการใช้งานสูงสุด

Output current IOUT(mA)

300

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

Input voltage VIN(V)

@ IOUT = 1 mA

1.5 – 5.5

Quiescent current IB(ON1) typ. (μA)

@ VOUT ≦ 1.5 V, IOUT=0 mA *2

0.34

Ripple rejection ratio R.R. typ. (dB)

@VOUT=0.8 V, IOUT=10 mA, f=1 kHz *2

70

Drop-out voltage VIN-VOUT typ. (mV)

@ VOUT=3.3 V, IOUT=300 mA

140

Load transient response ⊿VOUT typ. (mV)

@VOUT=0.8 V, VIN=3.3 V, IOUT=1mA⇔50 mA *2

±60

แรงดันไฟฟ้าขาออก

typ.

(V)

คายประจุไฟฟ้าอัตโนมัติ

แรงดันไฟฟ้าขาออก

typ.

(V)

คายประจุไฟฟ้าอัตโนมัติ

มี

ไม่มี

มี

ไม่มี

0.8

TCR3UG08A

TCR3UG08B

2.5

TCR3UG25A

TCR3UG25B

0.85

TCR3UG085A

TCR3UG085B

2.6

TCR3UG26A

TCR3UG26B

0.9

TCR3UG09A

TCR3UG09B

2.7

TCR3UG27A

TCR3UG27B

0.95

TCR3UG095A

TCR3UG095B

2.8

TCR3UG28A

TCR3UG28B

1.0

TCR3UG10A

TCR3UG10B

2.85

TCR3UG285A

TCR3UG285B

1.05

TCR3UG105A

TCR3UG105B

3.0

TCR3UG30A

TCR3UG30B

1.1

TCR3UG11A

TCR3UG11B

3.1

TCR3UG31A

TCR3UG31B

1.15

TCR3UG115A

TCR3UG115B

3.2

TCR3UG32A

TCR3UG32B

1.2

TCR3UG12A

TCR3UG12B

3.3

TCR3UG33A

TCR3UG33B

1.3

TCR3UG13A

TCR3UG13B

3.5

TCR3UG35A

TCR3UG35B

1.35

TCR3UG135A

TCR3UG135B

3.6

TCR3UG36A

TCR3UG36B

1.5

TCR3UG15A

TCR3UG15B

4.1

TCR3UG41A

TCR3UG41B

1.75

TCR3UG175A

TCR3UG175B

4.2

TCR3UG42A

TCR3UG42B

1.8

TCR3UG18A

TCR3UG18B

4.5

TCR3UG45A

TCR3UG45B

1.85

TCR3UG185A

TCR3UG185B

5.0

TCR3UG50A

TCR3UG50B

1.9

TCR3UG19A

TCR3UG19B

หมายเหตุ:

[1] จากการสำรวจของ TDSC ณ วันที่ 26 ก.ย. 2017 สำหรับวงจรรวมของเรกูเลเตอร์แบบ LDO ที่ให้กระแสไฟฟ้าขาออก 300 มิลลิแอมป์

[2] สภาวะการทดสอบปกติ: VIN = VOUT + 1 V (VOUT > 1.5 V), VIN = 2.5 V (VOUT ≤ 1.5 V), CIN=1.0 μF, COUT=1.0 μF (เว้นเสียแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

อ่านข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเรกูเลเตอร์แบบ LDO ของ TDSC ได้ตามลิงก์ด้านล่าง

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/linear/power-supply/ldo-regulator.html

ช่องทางการติดต่อสำหรับลูกค้า:

แผนกการขายและการตลาดอุปกรณ์ส่งสัญญาณขนาดเล็ก
โทร: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ ซึ่งรวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ ข้อมูลการให้บริการ และข้อมูลสำหรับการติดต่อนั้นเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ เวลาเผยแพร่เอกสารฉบับนี้ โดยอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่จำเป็นต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) เป็นการผสมผสานระหว่างคุณสมบัติที่แข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation เมื่อเดือน ก.ค. 2017 เราได้กลายเป็นบริษัทผู้พัฒนาอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำ และได้ส่งมอบโซลูชั่นอันโดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจในกลุ่มเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเรา 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะสร้างคุณค่าสูงสุดให้กับผลิตภัณฑ์ เราให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกับลูกค่าเพื่อส่งเสริมการสร้างคุณค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน เราต้องการที่จะพัฒนาต่อยอดจากยอดขายประจำปีที่ทะลุ 7 แสนล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ไปแล้ว พร้อมทั้งมีส่วนในการสร้างอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกหนทุกแห่ง

อ่านข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ทาง: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

อ่านข่าวจากแหล่งที่มาได้ทาง businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170926005783/en/

ช่องทางการติดต่อสำหรับสื่อมวลชน:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Digital Marketing Department
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp