– แพ็คเกจใหม่มาพร้อมเทคโนโลยีทำความเย็นทั้งสองด้าน สำหรับประสิทธิภาพในการกำจัดความร้อนที่มากขึ้น
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–31 กรกฎาคม 2018
ในเดือนสิงหาคม Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) จะเริ่มเดินสายการผลิตและการจัดส่งมอสเฟตกำลังชนิด N-channel ขนาด 40V รุ่น “TPWR7904PB” และ “TPW1R104PB” สำหรับอุปกรณ์ยานยนต์ มอสเฟตเหล่านี้บรรจุอยู่ในแพ็คเกจ DSOP Advance(WF) ที่มีเทคโนโลยีทำความเย็นทั้งสองด้าน ค่าความต้านทานต่ำ และขนาดเล็ก
เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20180730005834/en/
Toshiba: มอสเฟตกำลังชนิด N-channel ขนาด 40V รุ่น "TPWR7904PB" สำหรับอุปกรณ์ยานยนต์ บรรจุในแพ็คเกจแบบใหม่ที่มีเทคโนโลยีทำความเย็นทั้งสองด้าน เพื่อประสิทธิภาพในการกำจัดความร้อนที่มากขึ้น (รูปภาพ: Business Wire)
ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้มีคุณสมบัติในการกำจัดความร้อนสูงและค่าความต้านทานขณะทำงานที่ต่ำ จากการติดตั้งชิปซีรีส์ U-MOS IX-H ซึ่งเป็นมอสเฟตที่มาพร้อมโครงสร้างแบบร่องใหม่ล่าสุด เข้ากับแพ็คเกจ DSOP Advance(WF) มีการจำกัดความร้อนที่เกิดจากการนำกระแสตามปกติ (conduction loss) อย่างมีประสิทธิภาพ และเพิ่มความยืดหยุ่นให้กับการออกแบบที่เหมาะสมทางความร้อน (thermal design)
มอสเฟตตระกูล U-MOS IX-H ยังมีเสียงขณะสวิตชิงที่เบากว่ารุ่น U-MOS IV ที่ Toshiba เปิดตัวไปก่อนหน้านี้ ส่งผลให้ EMI[1] ลดลงด้วย
แพ็คเกจ DSOP Advance(WF) มีโครงสร้างด้านข้างส่วนท้าย[2] ที่สามารถโดนน้ำได้
การใช้งาน
– พวงมาลัยไฟฟ้า
– สวิตช์โหลด
– ปั๊มไฟฟ้า
คุณลักษณะ
– ผ่านการรับรอง AEC-Q101 ใช้ได้กับอุปกรณ์ยานยนต์
– แพ็คเกจมาพร้อมเทคโนโลยีทำความเย็นทั้งสองด้าน พร้อมแผ่นปิดด้านบน[3] และส่วนขาออกของสัญญาณ (drain)
– มีทัศนวิสัยในการตรวจสอบ AOI ที่มากขึ้นเนื่องจากใช้โครงสร้างด้านข้างส่วนท้ายแบบโดนน้ำได้
– ซีรีส์ U-MOS IX-H มาพร้อมค่าความต้านทานขณะใช้งานที่ต่ำและมีเสียงที่เบา
ข้อกำหนดทางเทคนิคที่สำคัญ |
||||||||||||||
(@Ta=25 ℃) |
||||||||||||||
หมายเลขชิ้นส่วน |
อัตราการใช้งานสูงสุด |
ความต้านทาน on-resistance สัญญาณขาเข้า-สัญญาณขาออก |
มีซีเนอร์ไดโอดในตัวระหว่างเกต-สัญญาณขาเข้า |
ซีรีส์ |
แพ็คเกจ |
|||||||||
แรงดันสัญญาณขาออก VDSS |
กระแสสัญญาณขาออก (DC) |
|||||||||||||
@VGS=6 V |
@VGS=10 V |
|||||||||||||
TPWR7904PB |
40 |
150 |
1.3 |
0.79 |
No |
U-MOSⅨ-H |
DSOP |
|||||||
TPW1R104PB |
120 |
1.96 |
1.14 |
DSOP |
||||||||||
หมายเหตุ:
[1] EMI (การรบกวนทางแม่เหล็กไฟฟ้า)
[2] โครงสร้างด้านข้างส่วนท้ายที่โดนน้ำได้: โครงสร้างส่วนท้ายที่ให้มีกระบวนการตรวจจับความผิดพลาดโดยอัตโนมัติ หรือ AOI ของการติดตั้งบอร์ด
[3] โปรดระมัดระวัง เนื่องจากแผ่นปิดด้านบนมีศักย์ไฟฟ้าเช่นเดียวกับส่วนขาเข้าของสัญญาณ อย่างไรก็ตามไม่เป็นตัวนำไฟฟ้า
ดูผลิตภัณฑ์มอสเฟตจาก Toshiba ทั้งหมดได้ที่ลิงก์ด้านล่างนี้
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html
ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์กำลัง
โทร: +81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ ล้วนถูกต้องในวันประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2017 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา
เรามีพนักงานจำนวน 19,000 คนทั่วโลก ซึ่งมีความตั้งใจร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน
ดูเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
ดูเวอร์ชันต้นฉบับได้ที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20180730005834/en/
ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
You must be logged in to post a comment.