โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–28 กันยายน2017
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ประกาศเปิดตัวในวันนี้ เดี่ยวกับผลิตภัณฑ์ "TCK401G" (แอคทีฟไฮ [1]) และ "TCK402G" (แอคทีฟโลว์ [2]), ไดรเวอร์ แบบ N-channel MOSFET ที่รองรับแรงดันไฟฟ้าอินพุตได้ถึง 2 โวลต์ ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานเพื่อการชาร์จอย่างรวดเร็ว และการใช้งานอื่น ๆ ที่ต้องใช้กระแสกำลังแรงสูง การจัดส่งแบบ IC ไดรฟ์เวอร์ MOSFET ใหม่ จะเริ่มในวันนี้
ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณลักษณะมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: http://www.businesswire.com/news/home/20170928005497/en/
ไอซี ไดรเวอร์ N-channel MOSFET "TCK401G" และ "TCK402G" ในแพคเกจขนาดเล็กลำหน้าวงการอุตสาหกรรมของToshiba Electronic Devices & Storage Corporation (รูปภาพ: Business Wire)
TCK401G และ TCK402G รุ่นใหม่มีฟังก์ชั่นบิลท์อินที่หลากหลาย เช่นการป้องกันกระแสเกินขนาด (overvoltage) การลดกระแสพุ่งเข้า (inrush current reduction) และ การขับกระแสเอาต์พุตออกโดยอัตโนมัติ (auto output discharge) แต่ยังสามารถบรรจุอยู่ในแพคเกจ WCSP6E ที่มีขนาดเล็กที่สุดในอุตสาหกรรม โดยมีขนาดเพียง 0.8 มม. x 1.2 มม. x 0.55 มม. (typical)[3].
การใช้งานวงจรจ่ายไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพสูงจะเป็นไปได้ โดยใช้ไดรเวอร์กับ N-channel MOSFET แบบภายนอก(external)ที่มีอัตราแรงดันไฟฟ้าสูงสุด กับออนรีซิสแตนซ์ที่เหมาะสมต่อการใช้งานตามเป้าหมาย ดังจะเห็นได้จากตัวอย่างการใช้งานร่วมกันของไดรเวอร์ MOSFET ใหม่กับ ออนรีซิสแตนซ์ SSM6K513NU MOSFET แบบกำลังต่ำ ซึ่งเหมาะสำหรับแอพพลิเคชันบนมือถือและสินค้าอุปโภคบริโภคเนื่องจากสามารถสร้างวงจรจ่ายไฟขนาด 100 W ได้ในพื้นที่ขนาดเล็ก
การใช้งาน
• อุปกรณ์มือถือ
• สินค้าอุปโภคบริโภค
คุณสมบัติ
กำลังไฟฟ้าอินพุตกว้าง: VIN_opr =2.7 to 28 V
แพคเกจ WCSP6E ขนาดเล็ก: 0.8×1.2 มม., t: 0.55 มม. (typ.)
การป้องกันกระแสเกินขนาด (overvoltage) การลดกระแสพุ่งเข้า (inrush current reduction) และ การขับกระแสเอาต์พุตออกโดยอัตโนมัติ (auto output discharge)
ข้อมูลจำเพาะหลัก |
||||||||
ผลิตภัณฑ์ (Ta=25oC) |
TCK401G (แอคทีฟไฮ) |
TCK402G (แอคทีฟโลว์) |
||||||
อัตรากระแสสูงสุด |
||||||||
อินพุต โวลต์เทจ VIN (V) |
40 |
|||||||
คุณลักษณะด้านไฟฟ้า |
||||||||
กระแสอินพุตในขณะปฏิบัติงาน VIN_opr (V) |
2.7 to 28 |
|||||||
กระแสในภาวะปกติ IQ(ON) typ. (μA) @ VIN=5 V |
121 |
|||||||
โวลต์เทจขับเกต (Gate drive voltage) VGS typ (V) |
VIN = 3 V |
4 |
||||||
VIN = 5 V |
6.5 |
|||||||
VIN = 9 V |
6.5 |
|||||||
12V≦VIN≦28V |
8.5 |
|||||||
VGATE ON time tON typ (ms) [4] @VIN=5V, VGATE=6V, CGATE=2000pF |
0.58 |
|||||||
VGATE OFF time tOFF typ (μs) [4] @VIN=5V, VGATE=0.5V,CGATE=2000pF |
16.6 |
|||||||
หมายเหตุ:
[1] เมื่อเทอร์มินัลอินพุตควบคุมโหมดอยู่ในสถานะสูง MOSFET ภายนอกจะถูกเปิดใช้งาน เมื่อเทอร์มินัลอินพุตควบคุมโหมดอยู่ในสถานะต่ำ MOSFET ภายนอกจะถูกปิด
[2] เมื่อเทอร์มินัลอินพุตควบคุมโหมดอยู่ในสถานะต่ำ MOSFET ภายนอกจะถูกเปิดใช้งาน เมื่อเทอร์มินัลอินพุตควบคุมโหมดอยู่ในสถานะที่สูง MOSFET ภายนอกจะถูกปิด
[3] การสำรวจไอซีไดรเวอร์ N-channel MOSFETเมื่อวันที่ 27 กันยายน 2017 ของ TDSC
[4] เวลาที่ VGATE จะถึงค่าที่กำหนดไว้ จะวัดจากตอนที่ VCT มีค่ากลายเป็นครึ่งหนึ่งของค่า VIH
ตามลิงค์ข้างล่างนี้เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสายจ่ผลิตภัณฑ์ IC ของ TDSC
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/linear/power-supply.html
ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก (Small Signal Device Sales & Marketing Department)
โทร: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อกำหนดเนื้อหาบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) รวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2017 เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และคู่ค้าทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD
พนักงานของเราจำนวน 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีในขณะนี้สูงกว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่
ดูข้อมูลของเราเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
ดูเวอร์ชันต้นฉบับได้ที่ businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170928005497/en/
ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
ฝ่ายการตลาดดิจิตอล (Digital Marketing Department)
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
You must be logged in to post a comment.