โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–29 มกราคม 2018
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ประกาศเปิดตัวMOSFET ใหม่ รุ่น "SSM6N357R"ในวันนี้ ที่มีไดโอดในตัวระหว่างเดรน (drain) กับ gate terminals โดยอุปกรณ์ตัวนี้เหมาะสำหรับการขับขี่อุปนัยเช่นรีเลย์กล การจัดส่งสินค้าเริ่มต้นตั้งแต่วันนี้
ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณลักษณะเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/
MOSFET คู่ขนาดเล็กสำหรับไดรเวอร์รีเลย์ รุ่น "SSM6N357R ของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corp (ภาพ: Business Wire)
SSM6N357R ประกอบด้วยตัวต้านทานแบบดึงลง, ตัวต้านทานแบบและไดโอด Zener ซึ่งช่วยลดจำนวนชิ้นส่วนและประหยัดพื้นที่ในบอร์ด และเนื่องจากเป็นผลิตภัณฑ์แพ็คเกจแบบคู่ (2 ใน 1) จึงมีพื้นที่ติดตั้งขนาดเล็กลง 42% เมื่อเทียบกับการใช้แพ็คเกจแบบเดี่ยว SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 มม.) จำนวนสองชุด
แพ็คเกจ TSOP6F มาตรฐานอุตสาหกรรมมีแรงดันไฟฟ้าต่ำที่ 3.0V และคุณสมบัติแบบ AEC-Q101 ทำให้ SSM6N357R เหมาะสำหรับรถยนต์และการใช้งานอื่น ๆ
การใช้งาน
· การควบคุมแบบรีเลย์และ ขดลวดแม่เหล็กไฟฟ้าสำหรับงานยานยนต์
· การควบคุมแบบรีเลย์และ ขดลวดแม่เหล็กไฟฟ้าสำหรับการใช้งานอุตสาหกรรม
· การควบคุมคลัทช์สำหรับอุปกรณ์ OA
คุณลักษณะอื่น ๆ
· พื้นที่บอร์ดและจำนวนชิ้นส่วนลดลง(รีซิสเตอร์แบบดึงลง, รีซิสเตอร์แบบชุด และไดโอด Zener)
· แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งานต่ำ 3.0 V
· แพ็คเกจแบบคู่ (2 อิน 1)
· ได้รบรองมาตรฐาน AEC-Q101
คุณสมบัติหลัก |
||||||
(Ta=25°C) |
||||||
รายการ |
คุณลักษณะ |
|||||
อัตราสูงสุดสัมบูรณ์ |
แรงดันแหล่งจ่ายไฟ(Drain-source voltage) VDSS (V) |
60 |
||||
แรงดันไฟฟ้า Gate-source VGSS (V) |
±12 |
|||||
แรงดันเดรน Drain current ID (A) |
0.65 |
|||||
คุณสมบัติทางไฟฟ้า |
รีซีสแตนซ์เดรนซอร์ส Drain-source on-resistance RDS(ON) สูงสุด (mΩ) |
|VGS|=3.0V |
2400 |
|||
|VGS|=5.0V |
1800 |
|||||
เกตชาร์จทั้งหมดTotal gate charge Qg typ. (nC) |
1.5 |
|||||
อินพุตคาปาซิแตนซ์ Input capacitance Ciss typ. (pF) |
43 |
|||||
แพ็คเกจ |
TSOP6F |
2.9mm×2.8mm; t=0.8mm |
||||
ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFETs ต่ำสุดที่มีความต้านทานต่ำของ
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html
ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
Small Signal Device Sales & Marketing Department
โทร: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) รวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2017 เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และคู่ค้าทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD
พนักงานของเราจำนวน 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีในขณะนี้สูงกว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่
อ่านเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/
ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Digital Marketing Department ฝ่ายการตลาดดิจิตัล
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
You must be logged in to post a comment.