KIOXIA Corporation เปิดตัวAutomotive UFS ขนาด 512GB ตัวแรกของอุตสาหกรรม

Logo

เปิดประสบการณ์การใช้งานสู่ระบบและแอพพลิเคชั่นขั้นสูงมากขึ้น เพื่อประสบการณ์การขับขี่ที่เหนือกว่า

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–14 พ.ย. 2562

กำลังมีความกระหายอย่างมากในด้านระบบยานยนต์ในรุ่นต่อไปในอนาคต ทั้งความกระหายด้านข้อมูล และความบันเทิงขั้นสูงที่เพิ่มขึ้น และระบบ ADAS[2] พื้นที่จัดเก็บเพิ่มเติมสำหรับการบันทึกข้อมูลเหตุการณ์ การรองรับการทำแผนที่ 3D ที่มากขึ้น ซึ่งในการจะทำให้สิ่งเหล่านี้เกิดขึ้นได้ KIOXIA Corporation ประกาศในวันนี้ว่า บริษัทได้เริ่มต้นลองใช้ Automotive Universal Flash Storage[3]  ขนาด 512 กิกะไบต์แรก (GB) JEDEC®เวอร์ชั่น 2.1 โซลูชั่นหน่วยความจำในตัว Automotive UFS ของ KIOXIA ที่รองรับช่วงอุณหภูมิกว้าง (-40°C ถึง + 105°C) ตรงตามข้อกำหนด AEC-Q100 Grade2[4] และมอบความน่าเชื่อถือที่เพิ่มขึ้นตามการใช้งานด้านยานยนต์ต่าง ๆ ทั้งนี้อุปกรณ์ 512GB เข้าร่วมกับกลุ่มผลิตภัณฑ์ยานยนต์ Automotive UFS ที่มีอยู่ของบริษัทซึ่งรวมถึง ผลิตภัณฑ์ที่ความจุขนาด 16GB, 32GB, 64GB, 128GB และ 256GB

นวัตกรรมต่าง ๆ เช่น ยานยนต์อัตโนมัติ ระบบข้อมูล และความบันเทิงยานยนต์ขั้นสูง, ดิจิตอลคลัสเตอร์, ระบบตรวจสอบยานพาหนะ telematics และ ADAS ไม่เพียงแต่มอบประสบการณ์ผู้ขับขี่ที่ยกระดับ แต่ยังต้องการพื้นที่เก็บข้อมูลภายในยานพาหนะมากขึ้นด้วย

เพื่อตอบสนองความต้องการหน่วยความจำที่มีความจุขนาดใหญ่นี้ หน่วยความจำขนาด 512GB Automotive UFS ใหม่ของ KIOXIA ได้ถูกพัฒนาขึ้นมา ซึ่งได้รวมเอาหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH ™ ของบริษัทและคอนโทรลเลอร์เอาไว้ในแพ็คเกจเดียวกัน โดย 512GB Automotive UFS มีฟังก์ชั่นหลายอย่างที่เหมาะสมกับความต้องการของแอพพลิเคชั่นด้านยานยนต์เช่น ฟังก์ชัน “ รีเฟรช”,“ ควบคุมความร้อน” และ “การวินิจฉัยเพิ่มเติม” ทั้งนี้ ฟังก์ชัน“ รีเฟรช” สามารถใช้เพื่อรีเฟรชข้อมูลที่เก็บไว้ใน UFS และช่วยยืดอายุการใช้งานของข้อมูล ฟังก์ชั่น“ การควบคุมความร้อน” ปกป้องอุปกรณ์จากความร้อนสูงเกินไปในสถานการณ์อุณหภูมิสูงที่อาจเกิดขึ้นในการใช้งานยานยนต์ และท้ายที่สุด ฟังก์ชั่น“ การวินิจฉัยเพิ่มเติม” ช่วยให้โปรเซสเซอร์โฮสต์เข้าใจสถานะของอุปกรณ์ได้ง่าย

หมายเหตุ

[1] ที่มา: KIOXIA Corporation ณ วันที่ 14 พฤศจิกายน 2562

[2] ADAS ย่อมากจาก Advanced Driving Assistant System

[3] Universal Flash Storage (UFS) เป็นเครื่องหมายการค้าและหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับคลาสของผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังที่สร้างขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS โดย JEDEC เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ JEDEC Solid State Technology Association

[4] ข้อกำหนดคุณสมบัติของชิ้นส่วนไฟฟ้าที่กำหนดโดย AEC (Automotive Electronics Council)

*ข้อมูลจำเพาะตัวอย่างอาจแตกต่างจากชิ้นส่วนที่มาจากการผลิตจำนวนมาก

*ในการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ KIOXIA ทุกครั้ง: การระบุความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์ตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่มีสำหรับการจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ ความจุที่ใช้งานได้ของผู้บริโภคจะลดลงเนื่องจากพื้นที่ของ overhead data การจัดรูปแบบฟอร์แม็ต บล็อกที่ไม่ดี และข้อจำกัดอื่น ๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียดโปรดอ้างอิงข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง โดย1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต และ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

เกี่ยวกับ KIOXIA:

KIOXIA เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชั่นหน่วยความจำที่อุทิศตนเพื่อการพัฒนาการผลิตและการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) โดยในเดือนเมษายน 2560 หน่วยความจำ Toshiba รุ่นก่อนถูกแยกออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 2530  KIOXIA มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วยหน่วยความจำด้วยการนำเสนอผลิตภัณฑ์บริการและระบบที่สร้างทางเลือกสำหรับลูกค้าและคุณค่าที่อิงการใช้หน่วยความจำต่อสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D แบบใหม่ของ KIOXIA คือ BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บในแอพพลิเคชั่นที่มีความหนาแน่นสูง รวมไปถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, รถยนต์ และศูนย์ข้อมูล

สอบถามสำหรับลูกค้า:

KIOXIA Corporation

ฝ่ายขายและการตลาดหน่วยความจำ

โทร: +81-3-6478-2423

https://business.kioxia.com/en-jp/contact.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการและข้อมูลการติดต่อนั้นถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20191113006021/en/

สอบถามสำหรับสื่อ:

KIOXIA Corporation

กองวางแผนกลยุทธ์การขาย

Koji Takahata

โทร: +81-3-6478-2404

Toshiba Memory Corporation เตรียมจัดแสดงไดร์ฟ SSD สำหรับองค์กรประเภท PCIe® 4.0 NVMe™ ซึ่งเร็วที่สุดในอุตสาหกรรม ในงาน Flash Memory Summit

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–07 สิงหาคม 2562

Toshiba Memory Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยจัดเก็บข้อมูล ประกาศถึงการพัฒนาไดร์ฟจัดเก็บข้อมูลแบบ SSD สำหรับอุปกรณ์ที่ใช้ในองค์กร ประเภท PCIe® 4.0 NVMe™ ซึ่งเป็นประเภทที่เร็วที่สุดของอุตสาหกรรม[1] มาพร้อมประสิทธิภาพการอ่านข้อมูลแบบทิศทางเดียว (sequential) กว่า 6.4GB/s โดยจะมีการจัดแสดงตัวอย่างและต้นแบบของไดร์ฟ SSD ตระกูล CM6 ที่บูธ Toshiba Memory America (หมายเลขบูธ 307 ห้อง A) ในงาน Flash Memory Summit ณ เมืองซานตาคลารา ประเทศสหรัฐอเมริกา ซึ่งจะจัดขึ้นจนถึงวันที่ 8 สิงหาคมนี้

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีเนื้อหาในรูปแบบมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20190806006034/en/

Toshiba Memory Corporation: Industry’s Fastest-class PCIe(R) 4.0 SSDs for Enterprise Applications “CM6 Series” (Photo: Business Wire)

Toshiba Memory Corporation: ไดร์ฟตระกูล CM6 ประเภท PCIe(R) 4.0 ซึ่งเร็วที่สุดในอุตสาหกรรม สำหรับอุปกรณ์ที่ใช้ในองค์กร (รูปภาพ: Business Wire)

ไดร์ฟ SSD ตระกูล CM6 นี้รองรับมาตรฐาน PCIe® Gen4 x4 lanes แบบพอร์ตคู่ และ NVMe™ 1.4 โดยไดร์ฟ SSD แบบ NVMe สำหรับองค์กรนี้จะวางจำหน่ายพร้อมฟอร์มแฟคเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว และมีความจุตั้งแต่ 800GB ไปจนถึง 30TB รวมถึงตัวเลือกด้านอายุการใช้งาน (Drive Write Per Day) ให้เลือก 1 หรือ 3 แบบ

ดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับบูธของ Toshiba Memory America ในงาน Flash Memory Summit ได้จากลิงก์ด้านล่างนี้

https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2019/08/ssd-20190806-2.html

หมายเหตุ 

[1] ข้อมูลเมื่อ 7 สิงหาคม 2562 จากการสำรวจข้อมูลไดรฟ์ SSD สำหรับองค์กรโดย Toshiba Memory Corporation

[2] คำจำกัดความของความจุ: Toshiba Memory Corporation กำหนด 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และ 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตามระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความจุหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2 ^ 30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์, 1TB = 2 ^ 40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงมีความจุน้อยกว่า ทั้งนี้ความจุในการจัดเก็บ (รวมถึงตัวอย่างของไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ เช่นระบบปฏิบัติการ Microsoft® และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตจริงอาจแตกต่างกันไป

*NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าของ NVM Express, Inc. 

*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าของ PCI-SIG. 

*ชื่อบริษัท ผลิตภัณฑ์ และบริการทั้งหมดที่กล่าวถึงอาจเป็นเครื่องหมายทางการค้าของบริษัทนั้น ๆ

ข้อมูลติดต่อสำหรับลูกค้า: 
ฝ่ายส่งเสริมการขาย 
โทร: +81-3-6478-2421 
https://business.toshiba-memory.com/en-apac/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อมูลจำเพาะ เนื้อหาด้านการบริการและข้อมูลในการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ ซึ่งอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.comhttps://www.businesswire.com/news/home/20190806006034/en/

ข้อมูลติดต่อสำหรับสื่อ: 
Toshiba Memory Corporation 
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย 
Koji Takahata 
โทร: +81-3-6478-2404

Toshiba Memory เปิดตัว SSD PCIe® แบบแพคเกจเดี่ยว 1TB Gen3 x4L SSD ชุดเดียวพร้อมหน่วยความจำแฟลช 3 มิติ 96 เลเยอร์

Logo

SSD แพคเกจเดียวประสิทธิภาพการอ่านระดับแนวหน้าของอุตสาหกรรม

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–9 ม.ค.2019

Toshiba Memory Corporationผู้นำระดับโลกด้านโซลูชั่นหน่วยความจำประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์ชุด BG4 ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ในกลุ่มผลิตภัณฑ์แพคเกจเดี่ยว NVMe ™  SSD ที่มีความจุสูงถึง1,024GB[2] ซึ่งรวมเอาผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลช หรือ flash memory ระดับนวัตกรรมแบบ 3 มิติ 96 เลเยอร์ และคอนโทรลเลอร์ใหม่ทั้งหมดไว้ในแพ็คเกจเดียว เพื่อมอบผลิตภัณฑ์ที่มีประสิทธิภาพการอ่านที่ดีที่สุด[3] ทั้งนี้ ผลิตภัณฑ์ชุด BG4 ซีรีส์กำลังทดสอบกลุ่มตัวอย่างลูกค้าแบบ PC OEM ในปริมาณที่จำกัด โดยคาดว่าจะมีการทดสอบกลุ่มตัวอย่างทั่วไปในไตรมาสที่สองของปี 2019

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณสมบัติเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่:: https://www.businesswire.com/news/home/20190108006172/en/

Toshiba Memory Corporation: 1TB Single Package PCIe(R) Gen3 x4L SSDs with 96-Layer 3D Flash Memory ( ...

Toshiba Memory Corporation:  PCIe (R) Gen3 x4L SSD ขนาด 1TB แบบแพ็คเกจเดี่ยว พร้อมหน่วยความจำแฟลช 96-Layer 3D (ภาพ: Business Wire )

ผลิตภัณฑ์ชุดใหม่ของ SSDs แพคเกจเดียวนี้มี PCIe® x4lanes Gen3 มีประสิทธิภาพอ่านเร็วถึง 2,250 MB / s[4] และมีการจัดการแฟลชที่ดีขึ้นทำให้มีประสิทธิภาพการอ่านแบบสุ่มเป็นชั้นนำของอุตสาหกรรม[5]ได้ถึง 380,000 IOPS[4 ] ทั้งนี้ BG4 แพ็คเกจเดี่ยวเหมาะสำหรับระบบที่มีขนาดกะทัดรัดและมุ่งเน้นประสิทธิภาพเช่น โน้ตบุ๊ก คอมพิวเตอร์แบบพกพาบางเฉียบ ระบบที่ใช้ระบบ IoT และบูตเซิร์ฟเวอร์ในศูนย์ข้อมูล

นอกจากนี้ผลิตภัณฑ์ Bg4 ยังถูกพัฒนาขึ้นจากขึ้นจากชุด BG3 รุ่นก่อนในด้านการเขียนแบบเรียงลำดับและแบบสุ่มโดยเพิ่มขึ้นประมาณ 70และ%[6] 90%[6] ตามลำดับ นอกจากนี้ประสิทธิภาพในการประหยัดพลังงานก็เพิ่มขึ้นมากถึง 20%[7] ในการอ่านและ 7%[7] ในการเขียนโดยการใช้หน่วยความจำ 3D flash memory BiCS FLASHTM  ที่ล้ำสมัยของToshiba Memory และคอนโทรลเลอร์ SSD ใหม่

ผลิตภัณฑ์ BG4 SSD seriesแบบแพคเกจเดี่ยว มีให้เลือกในสี่ความจุคือ 128GB, 256GB, 512GB และ 1,024GB พร้อมขนาดความบางถึง 1.3 มม. [8] สำหรับความจุที่สูงสุดที่ 512GB โดยมีตัวเลือกฟอร์มแฟคเตอร์ประกอบด้วยแพ็คเกจเดียวที่ติดตั้งบนพื้นผิว M.2 1620 (16 x 20 มม.) หรือโมดูล M.2 2230 (22×30 มม.) ที่ถอดออกได้ ทำให้การออกแบบมีความยืดหยุ่นมากขึ้นสำหรับพีซีแบบพกพาที่บางและเบา

ผลิตภัณฑ์ BG4 SSD นั้นสร้างขึ้นตามข้อกำหนด NVM ExpressTM Revision 1.3b และมีไดรฟ์เข้ารหัสตัวเลือกเพิ่มเติม (TCG Opal เวอร์ชั่น 2.01) [9]

ในช่วงงาน CES® 2019 ผลิตภัณฑ์ชุด BG4 ใหม่จะได้รับการเปิดตัวในห้องสวีทส่วนตัวของ Toshiba Memory America, Inc. ที่Venetian® Resort จนถึงวันที่ 11 มกราคม

* PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG

* NVM Express และ NVMe เป็นเครื่องหมายการค้าของ NVM Express, Inc.

* ชื่อ บริษัท ทั้งหมดชื่อผลิตภัณฑ์และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของ บริษัท นั้น ๆ

หมายเหตุ

[1] ความจุจริงคือ 1,024GB โปรดอ้างอิงเชิงอรรถ [2] สำหรับคำจำกัดความของความจุ

[2] คำจำกัดความของความจุ: Toshiba Memory Corporation กำหนด  1 กิกะไบต์ (GB) เป็น 1,000,000,000 ไบต์ และ  1 เทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตามระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความจุหน่วยเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2 ^ 30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์, 1TB = 2 ^ 40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ ดังนั้นจึงมีความจุน้อยกว่า ทั้งนี้ความจุในการจัดเก็บ (รวมถึงตัวอย่างของไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์การจัดรูปแบบการตั้งค่าซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการเช่นระบบปฏิบัติการ Microsoft®และ / หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้าหรือเนื้อหาสื่อ ความจุที่ฟอร์แมตจริงอาจแตกต่างกันไป

[3] การสำรวจของ Toshiba Memory Corporation ในส่วนของแพคเกจ SSD เดี่ยว ณ วันที่ 9 มกราคม 2019

[4] การสำรวจของ Toshiba Memory Corporation จากการอ่านตามลำดับของหน่วย 128KiB และการอ่านแบบสุ่มของหน่วย 4KiB โดยใช้รุ่น BG4 1,024GB ภายใต้เงื่อนไขการทดสอบของ Toshiba Memory Corporation ประสิทธิภาพการอ่านและอ่านแบบสุ่มตามลำดับที่กล่าวถึงในที่นี้คือข้อมูลอ้างอิง และในความเป็นจริงอาจแตกต่างกันกับข้อมูลผลิตภัณฑ์ BG4 ในแผ่นข้อมูล

[5] การสำรวจของ Toshiba Memory Corporation ในส่วนของแพคเกจ SSD เดี่ยว ณ วันที่ 9 มกราคม 2019

[6] อ้างอิงจากประสิทธิภาพที่ดีที่สุดของซีรีย์ BG4 (รุ่น 1,024GB) และซีรีย์ BG3 (รุ่น 512GB) ภายใต้ เงื่อนไขการทดสอบของ Toshiba Memory Corporation

[7] อ้างอิงจากอัตราส่วนพลังงาน / ประสิทธิภาพของรุ่น BG4 PCIe Gen3 x4lanes เทียบกับรุ่น BG3 PCIe Gen3 x2lanes ภายใต้เงื่อนไขการทดสอบของ Toshiba Memory Corporation

[8] รุ่นแพคเกจเดี่ยวขนาด 128GB, 256GB และ 512GB มีความหนาที่1.3 มม. และความหนาของรุ่นแพคเกจเดียว 1,024GB อยู่ที่ 1.5 มม.

[9] การวางจำหน่ายไดรฟ์รุ่นต่างๆที่เข้ารหัสด้วยตนเอง (SED) อาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:

ฝ่ายส่งเสริมการขาย

โทร: + 81-3-6478-2424

https://business.toshiba-memory.com/en-jp/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์เนื้อหาของบริการ ข้อมูลติดต่อถูกต้องในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20190108006172/en/

สอบถามสำหรับสื่อ:

Toshiba Memory Corporation

ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย

Koji Takahata

โทร: + 81-3-6478-2404

บริษัท โตชิบา เมมโมรี่ คอร์ปอเรชั่น เปิดตัว SSD ระดับองค์กรครั้งแรกของโลก โดยใช้หน่วยความจำแฟลช 3D แบบ 64-เลเยอร์

Logo

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–8 สิงหาคม 2017

บริษัท โตชิบาเมมโมรี่คอร์ปอเรชั่น (Toshiba Memory Corporation) ซึ่งเป็นผู้นำด้านโซลูชั่นหน่วยความจำระดับโลก ประกาศเปิดตัวโซลิดสเตท SSD รุ่นแรกของโลก[1] ที่ใช้หน่วยความจำแฟลชแบบ 3D แบบ 64 เลเยอร์ ทั้งสองสายผลิตภัณฑ์ใหม่ประกอบด้วยซีรีส์ PM5 12Gbit / SAS และ CM5 NVM Express ™ (NVMe ™) ซึ่งใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH ™ 3D ของ บริษัทโตชิบาเมมโมรี่คอร์ปอเรชั่น ซึ่งช่วยตอบรับสภาพแวดล้อมที่มีความต้องการด้านการจัดเก็บข้อมูลสูงขึ้นเพื่อขยายการใช้หน่วยความจำแฟลช และด้วยหน่วยความจำแฟลช 3D ที่ราคาต่ำลงแต่ประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น คุณลักษณะการใช้งานขั้นสูงใหม่จากซีรีส์ PM5 และ CM5 ที่ก้าวล้ำนี้ จะช่วยยกระดับความสามารถในการทำงาน และสร้างโอกาสใหม่ ๆ ให้กับธุรกิจในการใช้ประโยชน์จากพื้นที่จัดเก็บข้อมูลแฟลช

ข่าวสมาร์ทนิวส์ฉบับนี้อยู่ในรูปแบบสื่อมัลติมีเดีย สามารถเข้าไปอ่านฉบับเต็มได้ที่: http://www.businesswire.com/news/home/20170808005619/en/

Toshiba Memory Corporation: World's First Enterprise SSDs Utilizing 64-Layer, 3D Flash Memory (Photo ...

โตชิบาเมมโมรี่คอร์ปอเรชั่น: SSDs แบบองค์กรครั้งแรกของโลก ที่ใช้หน่วยความจำ Flash แบบ 64-Layer, 3D (รูปภาพ: Business Wire)

การจัดส่งตัวอย่างให้กับลูกค้า OEM เพื่อจุดประสงค์ในการประเมินจะเริ่มต้นในวันนี้ในปริมาณที่จำกัด และบริษัทโตชิบา เมมโมรี่ คอร์ปอเรชั่นจะค่อย ๆ เพิ่มปริมาณการจัดส่งจากไตรมาสที่สี่ของปีปฏิทินนี้ ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้จะจัดแสดงและมีการสาธิตวิธีการใช้ในงาน Flash Memory Summit 2017 ณ ซานตา คลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย ประเทศสหรัฐอเมริกา ตั้งแต่วันที่ 8 สิงหาคมถึง 10 ตุลาคมที่ บูธหมายเลข 407

ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ PM5 จะมีขนาด 2.5 นิ้ว อยู่ในรูปแบบความจุตั้งแต่ 400GB ถึง 30.72TB [2], พร้อมตัวเลือกความทนทานที่ 1, 3, 5 และ 10DWPD (ไดรฟ์ที่เขียนได้ต่อวัน) ช่วงความอดทนและความจุที่กว้างขึ้นของ SSD แบบ SAS จะช่วยให้ศูนย์ข้อมูลสามารถตอบสนองความต้องการข้อมูลขนาดใหญ่ได้อย่างมีประสิทธิภาพในขณะที่ใช้งานการจัดเก็บข้อมูลที่คล่องตัว ด้วยสถาปัตยกรรมระบบ MultiLink SASTM[3]  ครั้งแรกของอุตสาหกรรม ผลิตภัณฑ์ PM5 สามารถให้สมรรถนะที่เร็วที่สุด[4] ในตลาด SSD ที่ใช้ไดรฟ์ SAS โดยมีประสิทธิภาพในการอ่านต่อเนื่องสูงสุดถึงสูงสุดถึง 3350MB / วินาที [5] และการเขียนต่อเนื่องที่ 2720MB / ของลำดับเขียนในโหมด MultiLink และการอ่านสุ่ม IOPS 400,000 ครั้ง[6] ในโหมดแคบหรือโหมดสำหรับการออกแบบ MultiLink แบบ 4 พอร์ต ผลิตภัณฑ์ในซีรีส์ PM5 นี้เป็นเทคโนโลยีเพิ่มเติมเพื่อให้ได้ประสิทธิภาพสูงเช่นเดียวกับ SSD รุ่น PCI EXPRESS® (PCIe®)  ซึ่งทำให้โครงสร้างพื้นฐานรุ่นดั้งเดิมสามารถเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานได้โดยไม่ต้องสร้างสถาปัตยกรรมใหม่ขึ้นมาใหม่ทั้งหมด นอกจากนี้ PM5 SSD ยังสนับสนุนเทคโนโลยีการเขียนแบบ Multi-Stream Write ซึ่งเป็นคุณลักษณะที่จัดการและจัดกลุ่มข้อมูลที่ชาญฉลาด เพื่อลดการขยายการเขียน และลดการรวบรวมขยะ ซึ่งทำให้ช่วยการลดเวลาหน่วง เพิ่มความทนทาน นำไปสู่ Qos ที่มีประสิทธิภาพเพิ่มมากขึ้น

ชุดซีรีส์ CM5 จะมีขนาด 2.5 นิ้วในรูปแบบของความจุตั้งแต่ 800GB ถึง 15.36TB และเป็นการ์ดชนิด add-in ที่มีความทนทานสูงถึง 1, 3 และ 5DWPD SSD ด้วยความต้องการเป็น SSD แบบ NVMe แห่งยุคอนาคต SSD รุ่นนี้จึงรวมพอร์ทแบบ dual PCIe Gen3 x4 CM5 ให้เป็นคุณลักษณะเต็มรูปแบบ พร้อมด้วย SGL แบบ  NVMe over Fabric-ready และ Controller Memory Buffer (CMB) นอกจากนี้ซีรี่ส์ CM5 จะเป็นตัวแรกที่เปิดใช้งานคุณลักษณะหน่วยความจำแบบถาวร (PMR) สำหรับลูกค้าที่ต้องการเพิ่มหน่วยความจำระบบโดยไม่ต้องใช้ DIMM แบบ non-volatile ราคาแพง (NV-DIMM) ในเซิร์ฟเวอร์ โดย PMR ช่วยให้โซลูชัน SSD สามารถใช้งานได้ทั้งในด้านการจัดเก็บข้อมูลและหน่วยความจำแบบถาวรเพื่อตอบสนองความต้องการของระบบ[7] พร้อมไปกับการลดต้นทุนอย่างมีนัยยะสำคัญ ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ CM5 มีประสิทธิภาพที่ดีเยี่ยม ด้วยการอ่านแบบสุ่ม IOPS 800,000 ครั้ง และเขียน 240,000 ครั้ง (รุ่น 5DWPD) และ 220,000 ครั้ง (รุ่น3DWPD) ที่กำลังไฟสูงสุด 18 วัตต์ และเช่นเดียวกับไดรฟ์ SSD แบบ PM5 อื่นผลิตภัณฑ์ซีรีส์นี้ยังสนับสนุนเทคโนโลยีการเขียนแบบมัลติสตรีม

*NVMe และ NVM Express เป็นเครื่องหมายการค้าของ NVM Express, Inc.

*MultiLink SAS เป็นเครื่องหมายการค้าตัวหนึ่งของ SCSI Trade Association.

 PCI EXPRESS และ PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าที่จดทะเบียนแล้วของ PCI-SIG.

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการทั้งหมดที่กล่าวถึงในที่นี้ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

หมายเหตุ

[1] วันที่ 8 สิงหาคม 2017 จาก Toshiba Memory Corporation survey.

[2] ความหมายของความจุ: โตชิบา เมมโมรีคอร์โปเรชัน กำหนดหนึ่งเทราไบต์ (TB) เป็น 1,000,000,000,000 ไบต์ ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์รายงานความสามารถในการจัดเก็บข้อมูลโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับความละเอียดของ1TB = 240 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ และดังนั้นจึงแสดงถึงความจุที่น้อยลง ความจุที่มี (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับขนาดไฟล์การจัดรูปแบบการตั้งค่าซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการเช่น Microsoft Operating System และ / หรือโปรแกรมซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ความจุจริงที่ฟอร์แมตแล้วอาจแตกต่างออกไป

[3] วันที่ 8 สิงหาคม 2017 จาก Toshiba Memory Corporation survey.

[4] วันที่ 8 สิงหาคม 2017 จาก Toshiba Memory Corporation survey.

[5] ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์ เงื่อนไขการอ่านและเขียน และขนาดไฟล์

[6] อินพุตเอาต์พุตต่อวินาที (หรือจำนวนการดำเนินการ I / O ต่อวินาที)

[7] ตัวอย่าง รวมถึงการย้ายส่วนหนึ่งของการดำเนินการข้อมูลเมตา เช่นการบันทึกข้อมูล การจดบันทึก และการจัดเตรียมแอ็พพลิเคชันไปยัง NVMe SSD

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาด SSD (SSD Sales & Marketing Division)
โทร: +81-3-3457-3432

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาบริการและข้อมูลการติดต่อถูกต้องในวันประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเวอร์ชันต้นฉบับได้ที่ businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170808005619/en/

สำหรับการติดต่อสอบถามของสื่อ:
โตชิบา เมมโมรี่ คอร์ปอเรชั่น (Toshiba Memory Corporation)
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย (Sales Strategic Planning Division)
Koji Takahata
โทร: +81-3-3457-3822
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp