Kioxia เปิดตัวอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว QLC UFS 4.1 สำหรับการจัดเก็บข้อมูลแบบพกพาความจุสูง

เทคโนโลยี BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ที่จะมอบประสิทธิภาพและการประหยัดพลังงานที่เหนือกว่า

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–28 มกราคม 2026

Kioxia Corporation เป็นบริษัทผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ได้ประกาศในวันนี้ว่าได้เริ่มทำการทดสอบตัวอย่างหน่วยความจำแฟลชอเนกประสงค์¹ (UFS) เวอร์ชัน 4.1 รุ่นใหม่ ที่ใช้เทคโนโลยีเซลล์สี่ระดับ (QLC) ความละเอียด 4 บิตต่อเซลล์ โดยอุปกรณ์ใหม่นี้ได้รับการออกแบบมาสำหรับแอปพลิเคชันที่เน้นการอ่านข้อมูลและความต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลความจุสูง โดยใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติ BiCS FLASH^TM รุ่นที่ 8 ของ Kioxia

โดย QLC UFS มีความหนาแน่นของบิตสูงกว่า TLC UFS แบบดั้งเดิม ทำให้เหมาะสำหรับแอปพลิเคชันมือถือที่ต้องการความจุในการจัดเก็บข้อมูลสูง ความก้าวหน้าในเทคโนโลยีตัวควบคุมและการแก้ไขข้อผิดพลาดนั้นทำให้เทคโนโลยี QLC สามารถบรรลุเป้าหมายนี้ได้ ในขณะที่ยังคงรักษาประสิทธิภาพที่สามารถแข่งขันได้

ด้วยความก้าวหน้าเหล่านี้ อุปกรณ์ Kioxia รุ่นใหม่จึงมีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้นอย่างมาก² โดยหน่วยความจำ QLC UFS ของ Kioxia จะช่วยเพิ่มความเร็วในการเขียนแบบต่อเนื่องได้ 25% ความเร็วในการอ่านแบบสุ่มได้ 90% และความเร็วในการเขียนแบบสุ่มได้ 95% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า (UFS 4.0 / BiCS FLASH™ 6 QLC UFS)³ สำหรับค่า Write Amplification Factor (WAF) ก็ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นสูงสุดถึง 3.5 เท่า (โดยปิดการใช้งาน WriteBooster)

โดย Kioxia QLC UFS เหมาะอย่างยิ่งสำหรับสมาร์ทโฟนและแท็บเล็ต นอกจากนี้ยังรองรับผลิตภัณฑ์ประเภทใหม่ๆ ที่ต้องการความจุและประสิทธิภาพสูงขึ้น เช่น พีซี ระบบเครือข่าย AR/VR IoT และอุปกรณ์ที่ใช้ AI เป็นต้น

อุปกรณ์ UFS 4.1 รุ่นใหม่ มีให้เลือกในสองความจุ คือ 512 กิกะไบต์ (GB) และ 1 เทราไบต์ (TB) โดยผสานรวมหน่วยความจำแฟลช 3 มิติ BiCS FLASH™ ขั้นสูงของ Kioxia และคอนโทรลเลอร์ที่ผสานในตัวรวมไว้ในแพ็คเกจมาตรฐาน JEDEC โดยหน่วยความจำแฟลช 3 มิติ BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia นั้นจะนำเสนอเทคโนโลยี CMOS Directed Bonded to Array (CBA) ซึ่งเป็นนวัตกรรมทางสถาปัตยกรรมที่ถือเป็นการเปลี่ยนแปลงครั้งสำคัญในการออกแบบหน่วยความจำแฟลช

คุณสมบัติหลักประกอบด้วย

• การเป็นไปตามข้อกำหนด UFS 4.1 UFS 4.1 ที่สามารถใช้งานร่วมกับ UFS 4.0 และ UFS 3.1 ได้
• หน่วยความจำแฟลช 3 มิติ BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia
• WriteBooster รองรับความเร็วในการเขียนที่เร็วกว่าอย่างเห็นได้ชัด
• ขนาดบรรจุภัณฑ์ลดลงเมื่อเทียบกับ QLC UFS รุ่นก่อนหน้า: จาก 11×13 มม. เหลือ 9×13 มม.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
หน้าผลิตภัณฑ์ UFS 4.1 ของ Kioxia

หมายเหตุ:
(1)	หน่วยความจำแฟลชอเนกประสงค์ (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับหน่วยความจำฝังตัวประเภทหนึ่งที่สร้างขึ้นตามมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากมีอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงสามารถรองรับการอ่านและเขียนข้อมูลแบบสองทิศทาง ซึ่งจะช่วยให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลพร้อมกันระหว่างโปรเซสเซอร์หลักและอุปกรณ์ UFS ได้
(2)	อ้างอิงจากการทดสอบภายในของ Kioxia
(3)	ผลิตภัณฑ์ขนาด 512GB เมื่อเปิดใช้งาน WriteBooster

– ในทุกการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia: ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่ปริมาณความจุหน่วยความจำที่ผู้ใช้ปลายทางสามารถใช้จัดเก็บข้อมูลได้ ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะน้อยกว่าเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลส่วนเกิน การจัดรูปแบบ บล็อกเสีย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อกำหนดเฉพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ คำจำกัดความของ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

– 1 Gbps คำนวณได้เป็น 1,000,000,000 บิต/วินาที ความเร็วในการอ่านและการเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้จากการทดสอบในสภาพแวดล้อมเฉพาะที่ Kioxia และ Kioxia ไม่รับประกันความเร็วในการอ่านหรือเขียนในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

– ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia คือผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ โดยมุ่งมั่นในการพัฒนา ผลิต และจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและไดรฟ์โซลิดสเตท (SSD) โดยในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นบริษัทก่อนหน้า ได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ที่เป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ตั้งแต่ปี 1987 โดยทาง Kioxia มีความมุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าด้านหน่วยความจำให้กับสังคม ซึ่งเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและรายละเอียดสินค้า เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลที่ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่ข้อมูลอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:  https://www.businesswire.com/news/home/20260127840829/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารการส่งเสริมการขาย
Satoshi Shindo
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation