Month: August 2025

ขับเคลื่อนนวัตกรรมยานยนต์ยุคใหม่ด้วยประสิทธิภาพที่สูงขึ้น การจัดการข้อมูลที่มีประสิทธิภาพยิ่งขึ้น และความน่าเชื่อถือระดับยานยนต์

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–31 กรกฎาคม 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ว่าบริษัทได้เริ่มทำการสุ่มตัวอย่าง⁽¹⁾ Universal Flash Storage⁽²⁾ (UFS) Ver. 4.1 รุ่นใหม่ที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานในยานยนต์ อุปกรณ์ใหม่เหล่านี้ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมมาเพื่อตอบสนองความต้องการอันเข้มงวดของระบบในรถยนต์ยุคใหม่ มอบประสิทธิภาพ ความยืดหยุ่น และการปรับปรุงการวินิจฉัยที่สำคัญ ขับเคลื่อนด้วยหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 8 ของ Kioxia และเทคโนโลยีตัวควบคุมที่ออกแบบภายในองค์กร

อุปกรณ์ UFS 4.1 ใหม่นี้มีให้เลือกหลายขนาดความจุ ได้แก่ 128 กิกะไบต์ (GB), 256GB, 512GB และ 1 เทราไบต์ (TB) ออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการของระบบสาระบันเทิง, ADAS (ระบบช่วยขับขี่ขั้นสูง), เทเลเมติกส์, ตัวควบคุมโดเมน และคอมพิวเตอร์ในรถยนต์ อุปกรณ์เหล่านี้ผ่านมาตรฐาน AEC-Q100/104 ⁽³⁾ มาตรฐานเกรด 2 รองรับอุณหภูมิเคสได้สูงสุด 115°C

ยกระดับประสิทธิภาพจาก UFS รุ่น 3.1 ของ Kioxia⁽⁴⁾ อุปกรณ์ UFS 4.1 (512GB) ใหม่จะส่งมอบ:

• ประสิทธิภาพการอ่านข้อมูลแบบต่อเนื่องประมาณ 2.1 เท่า
• ประสิทธิภาพการเขียนข้อมูลแบบต่อเนื่องประมาณ 2.5 เท่า
• ประสิทธิภาพการอ่านข้อมูลแบบสุ่มประมาณ 2.1 เท่า
• ประสิทธิภาพการเขียนข้อมูลแบบสุ่มประมาณ 3.7 เท่า

การปรับปรุงเหล่านี้จะช่วยมอบประสบการณ์ผู้ใช้ที่ตอบสนองได้ดียิ่งขึ้นในสภาพแวดล้อมยานยนต์ที่เน้นข้อมูลจำนวนมาก

คุณสมบัติหลักประกอบด้วย:

• สอดคล้องกับข้อกำหนด UFS 4.1 ซึ่งรวมถึงส่วนขยายที่เกี่ยวข้องกับ WriteBooster เช่น WriteBooster Buffer Resizing และ Pinned Partial Flush Mode ซึ่งให้ความยืดหยุ่นที่ดีขึ้นเพื่อประสิทธิภาพสูงสุด UFS 4.1 โดยสามารถใช้งานร่วมกับ UFS 4.0 และ UFS 3.1 ได้
• ความสามารถในการวินิจฉัยที่ได้รับการปรับปรุง รวมถึงตัวระบุสถานะอุปกรณ์เฉพาะของผู้จำหน่ายที่เพิ่มเข้ามาใหม่ ที่จะช่วยลดความยุ่งยากในการตรวจสอบสถานะอุปกรณ์และการบำรุงรักษาเชิงคาดการณ์
• ใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 8

อุปกรณ์ UFS 4.1 จาก Kioxia ได้ผสานรวมหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและตัวควบคุมไว้ในแพ็กเกจมาตรฐาน JEDEC อุปกรณ์ UFS ใหม่เหล่านี้สร้างขึ้นด้วยหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D รุ่นที่ 8 ของ Kioxia รุ่นนี้นำเสนอเทคโนโลยี CBA (CMOS เชื่อมต่อกับอาร์เรย์โดยตรง) ซึ่งเป็นนวัตกรรมทางสถาปัตยกรรมที่ถือเป็นการเปลี่ยนแปลงครั้งสำคัญในการออกแบบหน่วยความจำแฟลช ด้วยการเชื่อมต่อวงจร CMOS เข้ากับอาร์เรย์หน่วยความจำโดยตรง เทคโนโลยี CBA ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ประสิทธิภาพ และความหนาแน่นอย่างมาก

หมายเหตุ
(1)		การจัดส่งตัวอย่างอุปกรณ์ขนาด 1TB เริ่มต้นในเดือนมิถุนายน และอุปกรณ์ขนาด 128GB และ 256GB เริ่มต้นในเดือนกรกฎาคม รายละเอียดของตัวอย่างอาจแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์
(2)		Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำฝังตัวประเภทหนึ่งที่สร้างขึ้นตามมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากมีอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการทำงานแบบดูเพล็กซ์เต็มรูปแบบ ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลพร้อมกันระหว่างโพรเซสเซอร์โฮสต์และอุปกรณ์ UFS ได้
(3)		ข้อกำหนดคุณสมบัติส่วนประกอบไฟฟ้าที่กำหนดโดย AEC (สภาอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์)
(4)		อุปกรณ์ UFS 3.1 512GB “THGJFGT2T85BAB5”

*ทุกครั้งที่กล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่ปริมาณความจุหน่วยความจำที่มีให้สำหรับจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ปลายทาง ความจุที่ผู้บริโภคใช้ได้จะลดลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลโอเวอร์เฮด การจัดรูปแบบ บล็อกเสีย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1 KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1 Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1 GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1 Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต 1 TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์
*MB/s คำนวณเป็น 1,000,000 ไบต์/วินาที
*ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้จากการทดสอบในสภาพแวดล้อมเฉพาะที่ Kioxia Corporation และ Kioxia Corporation ไม่รับประกันความเร็วในการอ่านและเขียนในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าจากหน่วยความจำสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามจากลูกค้า
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่:  https://www.businesswire.com/news/home/20250730761307/en

Contacts

การสอบถามจากสื่อ
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารงานส่งเสริมการขาย
Satoshi Shindo
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation