มอสเฟตกำลังชนิด N-channel 100V รุ่นใหม่ของ Toshiba ช่วยลดการบริโภคพลังงานของอุปกรณ์ยานยนต์

– ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ U-MOS X-H ใช้การประมวลผลเจเนอเรชันใหม่ล่าสุดจาก Toshiba –

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–25 กุมภาพันธ์ 2563

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัวมอสเฟตกำลังชนิด N-channel ขนาด 100V ใหม่ รุ่น “XK1R9F10QB” สำหรับใช้งานกับอุปกรณ์ยานยนต์ขนาด 48V เช่น โหลดสวิตซ์ การสลับแหล่งจ่ายไฟ และการขับมอเตอร์ โดยจะเริ่มการจัดส่งตั้งแต่วันนี้

เอกสารประชาสัมพันธ์นี้มีลักษณะเป็นมัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20200224006003/en/

สำหรับผลิตภัณฑ์ใหม่นี้เป็นมอสเฟตรุ่นแรกจากซีรีส์ใหม่อย่าง U-MOS X-H ของ Toshiba ที่มีโครงสร้างแบบราง และผลิตขึ้นโดยใช้ระบบประมวลผลเจเนอเรชันใหม่ล่าสุด^[1] ของบริษัท ติดตั้งบนแพ็คเกจ TO-220SM(W) ที่มีความต้านทานต่ำ และให้ค่า On-resistance^[2] ต่ำที่สุดของอุตสาหกรรม พร้อมค่า On-resistance สูงสุดที่ 1.92mΩ ซึ่งลดลงราว 20% เมื่อเทียบกับรุ่น “TK160F10N1L” ที่จำหน่ายในปัจจุบัน ความก้าวล้ำนี้ช่วยลดการบริโภคพลังงานของอุปกรณ์ นอกจากนี้ยังช่วยลดเสียงขณะสลับการจ่ายพลังงานเนื่องจากได้มีการปรับปรุงคุณสมบัติในการเก็บประจุไฟฟ้าให้ทำงานได้อย่างเหมาะสมมากขึ้น ซึ่งช่วยลด EMI^[3] ของอุปกรณ์ลง นอกจากนี้ ความกว้างแรงดันขีดเริ่มถูกทำให้แคบลงที่ 1V เพื่อเพิ่มการสลับการซิงโครไนเมื่อมีการใช้ควบคู่กัน

การใช้งาน
อุปกรณ์ยานยนต์ (โหลดสวิตช์ การสลับแหล่งจ่ายไฟ ตัวขับมอเตอร์และอื่น ๆ)

คุณสมบัติ
・มอสเฟตตระกูล U-MOS X-H ที่มีโครงสร้างแบบราง
・ค่า On-resistance ต่ำสุดในอุตสาหกรรม
　　R_DS(ON)=1.92mΩ (สูงสุด) ＠V_GS=10V
・ผ่านการรับรอง AEC-Q101

คุณสมบัติจำเพาะหลัก

(เมื่อTa=25°C)
หมายเลขชิ้นส่วน	กระแส ไฟฟ้า	ระดับค่าสูงสุดสัมบูรณ์				ค่า On-resistance RDS(ON) สูงสุดของขาเดรน-ขาซอส (mΩ)		ค่าอิมพีแดนซ์ความร้อนชาแนล-เคส Zth(ch-c) สูงสุด (℃/W)	แพ็คเกจ	ซีรีส์
		แรงดันขาเดรน-ขาซอส VDSS (V)	กระแสขาเดรน (DC) ID (A)	กระแสขาเดรน (pulsed) IDP (A)	อุณหภูมิชาแนล Tch (℃)	@VGS =6V	@VGS =10V
XK1R9F10QB	ชนิด N-channel	100	160	480	175	3.31	1.92	0.4	TO-220SM(W)	U-MOS X-H

หมายเหตุ:
[1] ข้อมูลเมื่อ 25 กุมภาพันธ์ 2563
[2] เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่มีค่า VDSS สูงสุดเท่ากันและแพ็คเกจประเภทเดียวกัน อ้างอิงจากผลสำรวจโดย Toshiba เมื่อ 25 กุมภาพันธ์ 2563
[3] EMI (สัญญาณรบกวนที่เกิดจากสนามแม่เหล็กไฟฟ้า)

ดูเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่ได้จากลิงก์ด้านล่างนี้
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/detail.XK1R9F10QB.html

ดูเพิ่มเติมเกี่ยวกับมอสเฟตสำหรับยานยนต์จาก Toshiba ได้จากลิงก์ด้านล่างนี้
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/automotive/automotive-mosfet.html

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์กำลัง
โทร: +81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและคุณสมบัติของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาเกี่ยวกับบริการและข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบันในวันที่เผยแพร่เอกสารนี้ และอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นบริษัทใหม่ที่เต็มไปด้วยพลังและประสบการณ์ นับตั้งแต่แยกตัวออกจากบริษัทเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2560 เราได้ก้าวสู่การเป็นหนึ่งในบริษัทผู้นำด้านอุปกรณ์ทั่วไป และได้นำเสนอโซลูชันเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ ระบบ LSIs และ ระบบ HDD อันโดดเด่นให้กับลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจของเรา

พนักงานจำนวน 24,000 คนทั่วโลกของเรามีความตั้งใจที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ของเราให้ถึงระดับสูงสุด และให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อส่งเสริมการสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน บริษัทตั้งเป้าเพิ่มยอดขายต่อปีซึ่งปัจจุบันมีมูลค่ากว่า 7.5 แสนล้านเยน (6.8 พันล้านเหรียญสหรัฐฯ) ให้สูงขึ้น เพื่อสร้างอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคน
เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

ดูเนื้อหาต้นฉบับที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20200224006003/en/

ข้อมูลเพิ่มเติมสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Chiaki Nagasawa
โทร: +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp