หน่วยความจำแฟลชแบบ 3D เจเนอเรชันใหม่มีเลเยอร์และหน่วยความจำที่มากขึ้น รวมถึงแบนด์วิธที่กว้างขึ้นกว่าเดิม
โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–31 มกราคม 2563
วันนี้ Kioxia Corporation ผู้นำด้านโซลูชันหน่วยความจำระดับโลก ได้ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาหน่วยความจำแฟลชแบบสามมิติ BiCS FLASH™ เจเนอเรชันที่ห้า ที่มีโครงสร้างแนวตั้งซ้อนกัน 112 ชั้น โดย Kioxia วางแผนเริ่มการจัดส่งอุปกรณ์ตัวอย่างที่มีขนาดความจุ 512 กิกะบิต (64 กิกะไบต์) และเทคโนโลยี 3-bit-per-cell (triple-level cell หรือ TLC) สำหรับการใช้งานกับอุปกรณ์บางชนิดในช่วงไตรมาสแรกของปีปฎิทิน 2563*1 การเปิดตัวอุปกรณ์ชิ้นใหม่นี้มีเป้าหมายเพื่อตอบสนองความต้องการที่กำลังสูงขึ้นเรื่อย ๆ ของอุปกรณ์ประเภทต่าง ๆ รวมถึงอุปกรณ์มือถือแบบทั่วไป อุปกรณ์ SSD สำหรับลูกค้าทั่วไปและลูกค้าองค์กร อุปกรณ์ใหม่ ๆ ที่เกิดขึ้นจากการมาของเครือข่าย 5G ใหม่ ปัญญาประดิษฐ์ และยานยนต์ไร้คนขับ
เอกสารประชาสัมพันธ์นี้ประกอบด้วยเนื้อหามัลติมีเดีย ดูอย่างเต็มรูปแบบได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20200130005478/en/
BiCS FLASH(TM) เจเนอเรชันที่ 5 (รูปภาพ: Business Wire)
นับจากนี้เป็นต้นไป Kioxia จะใช้เทคโนโลยีประมวลผลในเจเนอเรชันที่ห้าใหม่นี้กับอุปกรณ์ที่มีความจุมากขึ้น เช่น อุปกรณ์ TLC ขนาด 1 เทราบิต (128 กิกะไบต์) และอุปกรณ์ 4-bit-per-cell (quadruple-level cell หรือ QLC) ขนาด 1.33 เทราบิต
เทคโนโลยีประมวลผลที่มีโครงสร้างซ้อนกัน 112 ชั้นสุดล้ำของ Kioxia ประกอบด้วยวงจรและเทคโนโลยีประมวลผลการผลิตที่มีความทันสมัยเพื่อเพิ่มความหนาแน่นของชั้นเซลล์ให้มากกว่าแบบที่มีโครงสร้างซ้อนกัน 96 ชั้นได้ประมาณ 20 เปอร์เซ็นต์ เทคโนโลยีใหม่ช่วยลดต้นทุนต่อหน่วยและเพิ่มความสามารถในการผลิตของความจุของหน่วยความจำต่อแผ่นซิลิคอน นอกจากนี้ ยังช่วยพัฒนาความเร็วของอินเทอร์เฟสได้ 50 เปอร์เซ็นต์ และทำให้ประสิทธิภาพในการทำงานสูงขึ้นขณะที่ความหน่วงในการอ่านข้อมูลสั้นลง
นับตั้งแต่ประกาศเปิดตัวต้นแบบเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบสามมิติครั้งแรกของโลก*2 ในปี 2550 Kioxia ได้เดินหน้ายกระดับการพัฒนาหน่วยความจำแฟลชแบบสามมิติให้ก้าวหน้าขึ้น และมีการสนับสนุนการพัฒนา BiCS FLASH™ อย่างต่อเนื่องเพื่อสนองความต้องการของอุปกรณ์ที่มีความจุสูงขึ้นแต่ขนาดเล็กลง
BiCS FLASH™ เจเนอเรชันที่ห้าได้รับการพัฒนาขึ้นร่วมกับเทคโนโลยีและพันธมิตรด้านการผลิตอย่าง Western Digital Corporation ทั้งนี้ จะมีการผลิตขึ้นที่ฐานการผลิตใน Yokkaichi ของ Kioxia และฐานการผลิตที่สร้างขึ้นใหม่ใน Kitakami
หมายเหตุ:
1. คุณสมบัติบางประการยังไม่ได้รับการทดสอบ และคุณสมบัติของอุปกรณ์อาจแตกต่างออกไปในอนาคต
2. ที่มา: Kioxia Corporation ข้อมูลเมื่อ 12 มิถุนายน 2550
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ ทั้งหมดที่กล่าวถึง ณ ที่นี้ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทเหล่านั้น
เกี่ยวกับ Kioxia
KIOXIA เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำที่อุทิศตนเพื่อการพัฒนา ผลิต และจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2560 ที่ผ่านมา Toshiba Memory ก่อนที่จะเปลี่ยนมาเป็น KIOXIA ได้แยกออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ขึ้นมาในปี 2530 KIOXIA มุ่งมั่นที่จะสร้างแรงบันดาลใจให้กับโลกด้วยความทรงจำผ่านการนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าที่เกิดจากความทรงจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3D ที่มีความล้ำสมัยของ KIOXIA อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตแห่งการจัดเก็บข้อมูลในอุปกรณ์ที่มีความหนาแน่นสูง ซึ่งรวมถึงสมาร์ทโฟนที่มีความทั้นสมัย อุปกรณ์พีซี หน่วยความจำ SSD อุปกรณ์ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล
ดูเวอร์ชันต้นฉบับที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20200130005478/en/
ติดต่อ:
Kioxia Holdings Corporation
Kota Yamaji
ประชาสัมพันธ์
โทรศัพท์: +81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com
You must be logged in to post a comment.